[發明專利]二極管串

有效

• 申請號: 201310266159.3
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103531585B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: K.多曼斯基
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 蔣駿,王忠忠

1.?一種器件，包括：

第一極性的半導體阱，其被布置在不同于所述第一極性的第二極性的襯底內；

第一二極管結構，其被提供在所述半導體阱中；

第二二極管結構，其被提供在所述半導體阱中，所述第一半導體結構和所述第二半導體結構被串聯地耦合；以及

偏置電路，其被配置為向所述半導體阱施加偏置電壓，所述偏置電壓取決于施加到所述第一二極管結構的第一電壓和施加到所述第二電壓結構的第二電壓并且所述偏置電壓在所述第一電壓和所述第二電壓之間。

2.?權利要求1的器件，其中所述第一二極管結構包括用于施加所述第一電壓的第一端子以及第二端子，所述第一二極管結構的所述第二端子與所述第二二極管結構的第一端子耦合，第二二極管結構還包括用于施加所述第二電壓的第二端子，其中所述偏置電路被配置為取決于所述第一二極管結構的所述第二端子和所述第二二極管結構的所述第一端子之間的耦合上的電壓來生成所述偏置電壓。

3.?權利要求2的器件，其中第一二極管結構的第一端子被耦合到電源電壓端子，并且第二二極管結構的第二端子被耦合到輸入/輸出端子。

4.?權利要求1的器件，其中第一二極管結構和第二二極管結構均實現三阱二極管。

5.?權利要求1的器件，其中第一二極管結構和第二二極管結構被耦合在芯片的端子和電源電壓之間以提供ESD保護。

6.?權利要求1的器件，其中所述第一極性的所述半導體阱是所述第一極性的連續的半導體區域或所述第一極性的多個分離的半導體區域之一，所述多個分離的半導體區域經由歐姆電連接被彼此連接。

7.?一種器件，包括：

第一二極管，

第二二極管，與所述第一二極管串聯地耦合，以及

在中間節點與第一二極管和第二二極管的阱之間的耦合，所述中間節點處于第一二極管和第二二極管之間。

8.?權利要求7的器件，其中所述第一二極管和所述第二二極管被耦合在電源電壓和輸入/輸出端子之間。

9.?權利要求7的器件，其中電源電壓是VSS。

10.?權利要求7的器件，還包括：

第三二極管，

第四二極管，

第三二極管和第四二極管彼此串聯地耦合并且與第一和第二二極管串聯地耦合，以及

在另外的中間節點與第三二極管和第四二極管的阱之間的耦合，所述另外的中間節點處于所述第三二極管和所述第四二極管之間。

11.?一種半導體結構，包括：

襯底；

第一極性的第一阱，其被形成在所述襯底中；

不同于所述第一極性的第二極性的第二阱，其被形成在所述第一阱內；

第二極性的第三阱，其被形成在所述第一阱內；

第一極性的第四阱，其被形成在所述第二阱內；

第二極性的第五阱，其被形成在所述第三阱內；以及

電耦合，其處于所述第四阱、所述第三阱和所述第一阱之間。

12.?權利要求11的結構，其中所述電耦合包括金屬耦合或多晶硅耦合。

13.?權利要求11的結構，還包括布置在所述阱內的第二極性的第六阱，在所述第六阱中的摻雜濃度高于在所述第三阱中的摻雜濃度，所述電耦合被連接到所述第六阱。

14.?權利要求11的結構，其中所述第五阱與輸入/輸出端子耦合。

15.?權利要求11的結構，還包括布置在所述第二阱內的所述第二極性的第七阱，所述第七阱具有高于所述第二阱的摻雜濃度，其中所述第七阱與電源電壓耦合。

16.?權利要求11的結構，其中所述第一極性是n-型極性，并且所述第二極性是p-型極性。

17.?權利要求11的結構，其中所述襯底屬于第二極性。

18.?權利要求11的結構，其中所述電耦合具有小于10Ω的電阻。