[發(fā)明專利]雙柵介電層及半導(dǎo)體器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310265449.6
• 申請日: 2013-06-28
• 公開（公告）號: CN103325672A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 吉揚永;姚澤強;鄭智星;楊海峰
• 申請（專利權(quán)）人: 成都芯源系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8234;H01L21/336
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種形成雙柵介電層的方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上通過氧化該半導(dǎo)體襯底的方式生長形成第一柵介電層的第一薄部；

在所述第一薄部上采用淀積的方式形成第一柵介電層的第二厚部，其中所述第一柵介電層具有第一厚度；

去除所述第一柵介電層的特定部分，以露出所述半導(dǎo)體襯底的特定表面區(qū)域；以及

在半導(dǎo)體襯底的露出的所述特定表面區(qū)域上形成第二柵介電層，其中該第二柵介電層具有第二厚度，該第二厚度比所述第一厚度薄。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中生長形成第一柵介電層的第一薄部包括采用熱氧化生長的工藝步驟形成所述第一薄部。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中采用淀積的方式形成第一柵介電層的第二厚部包括采用高溫氧化物淀積的工藝步驟形成所述第二厚部。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一柵介電層的第一薄部和第二厚部包括二氧化硅層。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一薄部具有第三厚度，所述第二厚部具有第四厚度，所述第三厚度比所述第四厚度薄。

6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體襯底包括具有第一電壓范圍的第一有效區(qū)和具有第二電壓范圍的第二有效區(qū)，所述第一有效區(qū)用于承載工作在第一電壓范圍下的半導(dǎo)體器件，所述第二有效區(qū)用于承載工作在第二電壓范圍下的半導(dǎo)體器件。

7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一柵介電層的被去除的所述特定部分包括位于所述第二有效區(qū)上方的第一部分。

8.如權(quán)利要求6所述的方法，其中第一柵介電層的被去除的所述特定部分位于所述第二有效區(qū)上方的第一部分和位于所述第一有效區(qū)特定區(qū)域上方的第二部分。

9.如權(quán)利要求6所述的方法，進(jìn)一步包括：

在形成所述第一柵介電層的第一薄部之前，在襯底中形成第一隔離層和第二隔離層，其中所述第一隔離層用于界定所述第一有效區(qū)和所述第二有效區(qū)，所述第二隔離層用于將形成于第一有效區(qū)和第二有效區(qū)中的各個半導(dǎo)體器件相互隔離。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一隔離層和所述第二隔離層分別為第一淺溝槽隔離層和第二淺溝槽隔離層。

11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，在襯底中形成第一隔離層和第二隔離層包括：

先后在襯底上形成基礎(chǔ)氧化層和第一掩膜層；

對第一掩膜層和基礎(chǔ)氧化層進(jìn)行構(gòu)圖以在襯底中形成第一溝槽和第二溝槽，其中所述第一溝槽用于界定所述第一有效區(qū)和所述第二有效區(qū)，所述第二溝槽用于將形成于第一有效區(qū)和第二有效區(qū)中的各個半導(dǎo)體器件相互隔離；

在所述第一溝槽和所述第二溝槽的側(cè)壁和底部形成墊層；

采用隔離層填充所述第一溝槽和所述第二溝槽；以及

去除所述第一掩膜層和基礎(chǔ)氧化層。

12.一種形成具有雙柵介電層的半導(dǎo)體器件的方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，該半導(dǎo)體襯底包括第一有效區(qū)和第二有效區(qū)，其中所述第一有效區(qū)為第一電壓范圍區(qū)域，所述第二有效區(qū)為第二電壓范圍區(qū)域；

在所述半導(dǎo)體襯底上通過氧化該半導(dǎo)體襯底的方式生長形成第一柵介電層的第一薄部；

在所述第一薄部上采用淀積的方式形成第一柵介電層的第二厚部，其中所述第一柵介電層具有第一厚度；

去除所述第一柵介電層的特定部分后剩下該第一柵介電層的保留部分，以露出所述半導(dǎo)體襯底的特定表面區(qū)域；

在半導(dǎo)體襯底的露出的所述特定表面區(qū)域上形成第二柵介電層，其中該第二柵介電層具有第二厚度，該第二厚度比所述第一厚度薄；

在所述第一有效區(qū)上方形成第一柵區(qū)，并在所述第二有效區(qū)上方形成第二柵區(qū)，其中所述第一柵區(qū)至少部分地延伸至第一柵介電層的所述保留部分上并覆蓋該保留部分的至少一部分，所述第二柵區(qū)覆蓋所述第二柵介電層的至少一部分；并且所述第一柵區(qū)用作工作于所述第一電壓范圍下的第一半導(dǎo)體器件的柵區(qū)，所述第二柵區(qū)用作工作于所述第二電壓范圍下的第二半導(dǎo)體器件的柵區(qū)；以及

在第一有效區(qū)中形成所述第一半導(dǎo)體器件的源區(qū)及漏區(qū)，并在第二有效區(qū)中形成所述第二半導(dǎo)體器件的源區(qū)及漏區(qū)。