[發(fā)明專利]一種稀土配合物及其應用方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310265129.0
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103319544A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 許衛(wèi)鋒
• 申請（專利權）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: C07F19/00
• 分類號: C07F19/00;C07F5/00;C08F4/52
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及一種新型稀土配合物及其在制備取向性聚合物的應用方法。

背景技術

在TFT-LCD技術中，涂布于CF基板和TFT基板上的配向膜，起著控制液晶分子排列方向的作用，由于液晶與配向膜之間的界面有很強的作用里（Anchoring?Strength），在外加電壓撤銷后，改變排列方向后的液晶分子靠著黏彈性恢復到原來的狀態(tài)。配向膜需要進行配向處理才能有效地控制液晶分子的排列，配向技術主要有摩擦法（Rubbing）和非摩擦法（Non-Rubbing）兩大類。

傳統(tǒng)的TN型液晶達到一定取向性的方法較多使用摩擦法（Rubbing），TN型液晶多采用PT（聚酰亞胺，Polyimide）的配向，但此機械的摩擦法需定期更換耗材，同時有可能引入雜質影響生產(chǎn)效能。

VA型液晶多采用PSVA（聚合物穩(wěn)定垂直配向，Polymer?Stabilization?Vertical?Alignment）技術和UV2A（UV光垂直配向，UV?vertical?Alignment）技術兩種控制液晶取向的方法（非摩擦法配向）。

PSVA技術是友達、三星公司等聯(lián)合開發(fā)的VA面板技術，是應用開環(huán)閉環(huán)型反應，PSVA技術是預先將對光敏感或熱敏感的前聚物混入液晶中，在施加電壓使液晶分子傾斜狀態(tài)下，聚合單體由此存儲液晶分子的傾斜方向的聚合物取向支持技術。但PSVA技術存在一定問題，由于聚合反應的殘存單體混入液晶材料中，這種與液晶較類似小分子對面板整體會有一定的影響。

UV²A技術是利用取向膜來控制傾斜取向的方法，UV²A技術是由日本夏普公司開發(fā)的技術，其具有極高的對比和較短的反應時間。UV²A使用的是光配向法，通過改變光的照射方式，制備成精密的取向分割結構，這種以非接觸式方式處理取向膜的方法不易產(chǎn)生靜電和雜質，是一種優(yōu)良的方法；UV²A技術是使用UV光照射肉桂酸脂類聚合前體物，發(fā)生[2+2]型關環(huán)反應，形成各向異性。但是這種方法較大的問題是聚合物是熱穩(wěn)定性不夠，降低取向穩(wěn)定性或熱穩(wěn)定性或液晶取向性不夠充分等缺點，且該取向膜材料的成本要比普通配向膜要昂貴許多。

發(fā)明內容

本發(fā)明涉及一種利用催化劑催化集合簡單單體，使原來不具取向性的材料具有一定的區(qū)域選擇性的稀土配合物及其在制備取向性聚合物的應用方法。

本發(fā)明提供一種稀土配合物，該稀土配合物由呈無色液體狀的配體與有機鋰化合物（n-BuLi）經(jīng)過化學反應制成，且該稀土配合物呈晶體狀。

其中，所述配體為(i-Pr)₃SiNHCH₂CH₂CH₂NHSi(i-Pr)₃，該配體由1,3-丙二胺(NH₂CH₂CH₂CH₂NH₂)和(i-Pr)₃SiCl經(jīng)過化學反應制成。

其中，所述稀土配合物的化學式為[(i-Pr)₃SiNCH₂CH₂CH₂NSi(i-Pr)₃]₂Sm^III·Li(THF)₄，其是由所述配體與氯化釤（SmCl3）經(jīng)過化學反應制成。

其中，所述稀土配合物的化學式為[(i-Pr)₃SiNCH₂CH₂CH₂NSi(i-Pr)₃]₂Eu^III·Li(THF)₄，其是由所述配體與氯化銪（EuCl₃）經(jīng)過化學反應制成。