[發明專利]快速定位單個通孔位置的方法有效
| 申請號: | 201310264897.4 | 申請日: | 2013-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN103336407A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 夏國帥;何大權;魏芳;張旭升 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 快速 定位 單個 位置 方法 | ||
技術領域
本發明涉及微電子光學臨近修正領域,具體涉及一種快速定位單個通孔位置的方法。
背景技術
在金屬通孔曝光工藝流程中,受到光罩制作尺寸偏差,工藝窗口偏小,以及曝光工藝漂移等因素的影響,一些比較稀疏的金屬通孔容易成為工藝弱點并導致通孔瞎窗,由于這些稀疏通孔屬于單個通孔,一旦打開失敗會導致器件失效。
在0.13um以下技術節點產品中,基于模型的OPC(Optical?Proximity?Correction,光學臨近修正)處理已經廣泛的應用于金屬通孔的光刻工藝流程中。其基本原理是通過建立模型,能模擬不同尺寸通孔在特定條件下曝光后得到通孔的尺寸,以修正原始通孔尺寸并使之在規定條件下能在晶圓上得到目標尺寸。在這個修正過程中,通常以原始通孔或者經過整體放大的通孔作為目標通孔,通過修正得到能在最佳工藝條件下達到目標尺寸的通孔圖形。然而不同圖形密度的金屬通孔的曝光工藝窗口并不相同,一般稀疏通孔的工藝窗口偏小,當工藝漂移時,稀疏通孔容易尺寸偏小甚至瞎窗。在先進的OPC處理中,可采用曝光輔助圖形來增加其工藝寬度,這些輔助圖形比金屬通孔尺寸小得多,存在光掩模版上但是不會被印在晶圓上,由于其較小的尺寸,勢必提高掩模版的規格并增加掩模版的制作成本,在0.13um到65nm技術節點并不常用。
在實際產品中,一些特別孤立的金屬通孔容易成為工藝弱點,為了提高這些通孔的工藝寬度,可以通過單獨增加這些特別孤立的金屬通孔的目標尺寸來實現。要做到這一點,首先要在版圖上找出這些特別的圖形。
由于這些特別孤立的通孔距離其它通孔數微米的距離,如果采用傳統的空間尺寸的檢查方法,會導致很長的檢查時間,導致生產效率低下,并且耗費大量系統資源,導致服務器上其它任務變慢甚至不能正常進行,給生產造成巨大損失。
發明內容
本發明根據現有技術的不足提供了一種通孔位置檢測方法,首先通過粗篩選濾除部分不符合要求的通孔,然后通過再進行通孔放大并進行進一步濾除,最終得到單個通孔,并對該通孔進行光學臨近修正處理,放大該通孔的關鍵尺寸,避免在后續工藝中造成瞎窗的現象產生。
本發明采用的技術方案為:
一種快速定位單個通孔位置的方法,應用于金屬通孔的光刻工藝流程中,其中,所述方法包括:
提供一具有多個通孔圖案的版圖;
采用網格法濾除部分不符合要求的通孔圖案;
將剩余的通孔圖案進行放大,以篩選出單個通孔;
對所述單個通孔進行光學臨近修正處理。
根據權利要求1所述的方法,其中,所述方法包括:
步驟a:于所述版圖上設計一單元格尺寸為L*L的網格;
如果任意一所述單元格內包含有至少兩個通孔,則將該單元格中的所有通孔予以濾除;若任意一個單元格內只有一個通孔則進入步驟b;
步驟b:將所述網格橫向或縱向進行移動,如果任意一個移動后的單元格內包含有至少兩個通孔,則將移動后的單元格內的所有通孔予以濾除;
步驟c:以每個剩余通孔的中心為圓心,放大所述剩余通孔圖案并經過多次切除邊角得到一圓形圖案,以形成多個以剩余通孔中心為圓心,且半徑為L的外圓圖案;若外圓圖案內沒有其他通孔,則該外圓圓心所在的通孔為單個通孔,若外圓內包含有其他通孔,則濾除該外圓圓心所在的通孔;
同時,若放大兩個通孔形成的外圓圖案相交,將該兩通孔的中心作為圓心,放大并切除邊角得到兩個半徑為L/2的內圓圖案,如果兩內圓圖案相交,則濾除該兩個通孔;如果兩內圓不相交,則進入步驟d;
步驟d:判斷以該兩個通孔中心的圓環區域內是否有在步驟a和步驟b中濾除的通孔,如果沒有,則該兩個通孔為單個通孔;若兩個圓環區域內包含有在步驟a和步驟b中濾除的通孔,則以該濾除的通孔中心為圓心,放大并切除邊角形成一半徑為L的圓,如果該圓包含相交外圓圓心所在的通孔,則濾除該通孔;
步驟e:經過上述步驟的篩選,對最終得到符合條件的每個所述單個通孔做光學臨近修正處理;
上述的方法,其中,步驟b中,將所述網格在橫向或縱向移動L/2,并判斷移動后的單元格內通孔的數量。
上述的方法,其中,放大剩余通孔圖案后切除16次邊角,得到外圓圖案。
上述的方法,其中,所述單個通孔與其他所述通孔的間距超過L。
上述的方法,其中,所述L根據工藝需求而設定。
上述的方法,其中,采用光學臨近修正對每個所述單個通孔進行放大處理。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海華力微電子有限公司,未經上海華力微電子有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310264897.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:隱框開啟扇幕墻
- 下一篇:一種高性能塑木鋁復合門窗的扇型材
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





