[發(fā)明專利]檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310264880.9
• 申請(qǐng)日: 2013-06-27
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103346107A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 范榮偉;倪棋梁;陳宏璘;龍吟
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

提供一檢測(cè)晶圓；

采用第一類型離子對(duì)所述檢測(cè)晶圓進(jìn)行阱區(qū)離子注入工藝，以在所述檢測(cè)晶圓中形成同一類型的阱區(qū)；

繼續(xù)采用第二類型離子對(duì)所述檢測(cè)晶圓進(jìn)行有源區(qū)離子注入工藝，以在所述檢測(cè)晶圓中形成同一類型的有源區(qū)；

于形成有阱區(qū)和有源區(qū)的檢測(cè)晶圓上制備柵極結(jié)構(gòu)和接觸孔后，對(duì)將所述檢測(cè)晶圓進(jìn)行接觸孔平坦化工藝，并繼續(xù)對(duì)該檢測(cè)晶圓進(jìn)行檢測(cè)工藝，以確定漏電的接觸孔位置；

根據(jù)所述漏電的接觸孔位置檢測(cè)所述多晶硅柵極與所述接觸孔對(duì)準(zhǔn)度；

其中，所述第一類型離子與所述第二類型的離子的類型相反。

2.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，所述同一類型的阱區(qū)為N型阱區(qū)；

所述同一類型的有源區(qū)為P型有源區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，采用電子束缺陷掃描儀在負(fù)負(fù)載條件下對(duì)所述檢測(cè)晶圓進(jìn)行檢測(cè)；

所述電子束缺陷掃描儀的掃描參數(shù)為：

著陸電壓：2300eV～2800eV，電流：100nA～120nA，像素：50nm～80nm之間。

4.如權(quán)利要求3所述的檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，通過(guò)所述電子束缺陷掃描儀獲得的影像表征中所出現(xiàn)的暗接觸孔，表明該接觸孔漏電。

5.如權(quán)利要求1所述的檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，所述同一類型的阱區(qū)為P型阱區(qū)；

所述同一類型的有源區(qū)為N型有源區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，采用電子束缺陷掃描儀在正負(fù)載條件下對(duì)所述檢測(cè)晶圓進(jìn)行檢測(cè)。

7.如權(quán)利要求6所述的檢測(cè)多晶硅柵極與接觸孔對(duì)準(zhǔn)度的方法，其特征在于，通過(guò)所述電子束缺陷掃描儀獲得的影像表征中所出現(xiàn)的亮接觸孔，表明該接觸孔漏電。