[發明專利]一種準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法

有效

• 申請號: 201310264809.0
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103345124A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 倪棋梁;陳宏璘;龍吟
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G06F17/50;H01L21/02
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，應用于確認晶圓上的集成電路圖形的光刻工藝窗口中，其特征在于，包括如下步驟：

提供一用于確認光刻工藝窗口的晶圓；

設定所述晶圓中的基準芯片；

將所述晶圓中的非基準芯片按照光刻能量與焦距的矩陣分布排列；

先后對所述基準芯片、所述非基準芯片進行曝光；

先后對所述曝光后的基準芯片、所述曝光后的非基準芯片進行缺陷檢測，以得到所述曝光后的基準芯片、所述曝光后的非基準芯片的缺陷檢測結果；

將所述曝光后的基準芯片的缺陷檢測結果與所述曝光后的非基準芯片的缺陷檢測結果進行比對，以得到確認的光刻工藝窗口；

其中，所述基準芯片為確定基準光刻工藝條件的芯片。

2.根據權利要求1所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，先后對所述基準芯片、所述非基準芯片進行曝光，具體為：

首先，根據所述基準芯片確定的基準光刻工藝條件對所述基準芯片進行曝光，之后，根據光刻能量和焦距的矩陣分布對所述非基準芯片進行曝光。

3.根據權利要求1所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，先后對所述曝光后的基準芯片、所述曝光后的非基準芯片進行缺陷檢測，具體為：

首先，采用缺陷檢測設備對所述曝光后的基準芯片進行缺陷檢測掃描，并將檢測到的所述曝光后的基準芯片的缺陷檢測結果存儲在所述缺陷檢測設備的存儲器中，之后，采用缺陷檢測設備對所述曝光后的非基準芯片進行缺陷檢測掃描。

4.根據權利要求3所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，對所述曝光后的非基準芯片采用逐行或逐列的缺陷檢測掃描方式。

5.根據權利要求1所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，所述曝光后的基準芯片的缺陷檢測結果為零缺陷圖形數據信號，所述曝光后的非基準芯片的缺陷檢測結果為待確定缺陷圖形數據信號。

6.根據權利要求5所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，將所述曝光后的基準芯片的缺陷檢測結果與所述曝光后的非基準芯片的缺陷檢測結果進行比對，具體為：

將所述曝光后的基準芯片的零缺陷圖形數據信號與所述曝光后的非基準芯片的待確定缺陷圖形數據信號進行比對，確定按照光刻能量與焦距的矩陣分布排列的所述非基準芯片的缺陷位置。

7.根據權利要求1-6任一項所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，所述基準芯片位于所述晶圓的中間位置，所述非基準芯片位于所述基準芯片的周圍。

8.根據權利要求7所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，所述基準芯片為2～10個。

9.根據權利要求7所述的準確和定量的缺陷檢測確認光刻工藝窗口的方法，其特征在于，所述基準芯片的上面和下面的非基準芯片之和不少于3個，且所述基準芯片的左面和右面的非基準芯片之和不少于3個。