[發明專利]測試結構無效
| 申請號: | 201310264755.8 | 申請日: | 2013-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN103337468A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 王炯;尹彬鋒;周柯 | 申請(專利權)人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;G01R31/26;G01R31/00 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 結構 | ||
1.一種測試結構,應用于氧化層的擊穿測試工藝中,所述測試結構包括柵氧結構、柵極測試焊墊和襯底測試焊墊;所述襯底測試焊墊與所述柵氧結構電連接,其特征在于,所述測試結構還包括金屬連線結構;
所述柵極測試焊墊通過所述金屬連線結構與所述柵氧結構電連接;
其中,多個金屬層依次電連接構成所述金屬連線結構。
2.如權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述金屬層設置在絕緣介質層中,且每兩個相鄰的金屬層之間均通過金屬通孔電連接。
3.如權利要求1所述的測試結構,其特征在于,位于所述金屬連線結構一端的金屬層通過金屬通孔與所述柵氧結構電連接,位于所述金屬連線結構另一端的金屬層直接與所述所述柵極測試焊墊電連接。
4.如權利要求2所述的測試結構,其特征在于,所述金屬層的材質為銅。
5.如權利要求4所述的測試結構,其特征在于,所述金屬通孔的材質為銅。
6.如權利要求2所述的測試結構,其特征在于,所述金屬層的材質為鋁。
7.如權利要求6所述的測試結構,其特征在于,所述金屬通孔的材質為鎢。
8.如權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述金屬層為直線形或環形。
9.如權利要求1所述的測試結構,其特征在于,所述金屬連線結構的等效電阻為1000歐姆~2000歐姆。
10.一種測試結構,應用于氧化層的擊穿測試工藝中,所述測試結構包括柵氧結構、柵極測試焊墊和襯底測試焊墊;所述柵極測試焊墊與所述柵氧結構電連接,其特征在于,所述測試結構還包括金屬連線結構;
所述襯底測試焊墊通過所述金屬連線結構與所述柵氧結構電連接;
其中,多個金屬層依次電連接構成所述金屬連線結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





