[發明專利]GaAs襯底上實現1.3微米附近發光的量子阱結構及其制備方法無效
| 申請號： | 201310264489.9 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN103368073A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 王庶民;顧溢;張永剛;宋禹忻;葉虹 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01S5/343 | 分類號： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gaas 襯底 實現 1.3 微米 附近 發光 量子 結構 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種GaAs襯底上實現1.3微米附近發光的量子阱結構，該量子阱結構采用InxGa1-xAs1-yBiy作為量子阱的阱層材料，采用AlzGa1-zAs作為量子阱的壘層材料，阱層材料的厚度為5-10nm，其中0.4≤x≤0.5，0.005≤y≤0.02，0≤z≤0.3。
2.根據權利要求1所述的一種GaAs襯底上實現1.3微米附近發光的量子阱結構，其特征在于：所述的量子阱結構包括N個依次交疊的量子阱結構，其中1≤N≤5。
3.一種GaAs襯底上實現1.3微米附近發光的量子阱結構的制備方法，包括：
（1）在GaAs襯底上生長一層GaAs緩沖層，再生長一層AlzGa1-zAs勢壘層，其中0≤z≤0.3；
（2）生長InxGa1-xAs1-yBiy勢阱層，阱層厚度為5-10nm，其中0.4≤x≤0.5，0.005≤y≤0.02；
（3）繼續重復生長N-1個周期的AlzGa1-zAs勢壘層和InxGa1-xAs1-yBiy勢阱層；其中1≤N≤5，N為所生長的量子阱數目；
（4）最后再生長AlzGa1-zAs勢壘層，完成量子阱結構的生長。
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