[發明專利]一種提高稀鉍半導體材料熱穩定性的方法有效
| 申請號： | 201310264486.5 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN103367123A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 王庶民;顧溢;宋禹忻;葉虹 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海微系統與信息技術研究所 |
| 主分類號： | H01L21/20 | 分類號： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知識產權代理事務所 31233 | 代理人： | 黃志達 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 半導體材料 熱穩定性 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高稀鉍半導體材料熱穩定性的方法，包括：
在生長稀鉍半導體材料的過程中加入小半徑且大鍵能的原子；所述的小半徑且大鍵能的原子為氮或硼。
2.根據權利要求1所述的一種提高稀鉍半導體材料熱穩定性的方法，其特征在于，所述的稀鉍半導體材料為以GaAs為襯底的GaAsBi材料，其制備方法包括：
（1）對GaAs襯底進行脫氧解析；
（2）在GaAs襯底上生長GaAs緩沖層；
（3）生長含N的GaAsBi材料，即可。
3.根據權利要求1所述的一種提高稀鉍半導體材料熱穩定性的方法，其特征在于，所述的稀鉍半導體材料為以InAs為襯底的InAsBi材料，其制備方法包括：
（1）對InAs襯底進行脫氧解析；
（2）在InAs襯底上生長InAs緩沖層；
（3）生長含N的InAsBi材料，即可。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
