[發明專利]半導體工藝的溫度測量和調節方法有效
| 申請號： | 201310264417.4 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN104253060B | 公開（公告）日： | 2017-04-12 |
| 發明（設計）人： | 甘志銀;胡少林 | 申請（專利權）人： | 甘志銀 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海市華誠律師事務所31210 | 代理人： | 李平 |
| 地址： | 528251 廣東省佛山*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 工藝 溫度 測量 調節 方法 | ||
1.一種半導體工藝的溫度測量和調節方法，被測溫度目標的中心測溫區域具備相對準確的測溫條件，其特征在于該方法依次包含以下步驟：
步驟1，在被測溫度的目標上方預設中心測試孔和多個徑向測試孔然后設定目標溫度值，加熱器升溫；
步驟2，用兩個以上的徑向測溫儀經多個徑向測試孔進行溫度檢測；
步驟3，對加熱器進行溫度調節，直到各個徑向測溫儀的讀數相同；
步驟4，用中心測溫儀對中心測試孔測溫，將中心測溫儀測得的讀數與設定目標溫度值進行比較；
步驟5如果中心測溫儀讀數大于設定目標溫度值，對加熱器降溫，并重復步驟2至步驟4，直到中心測溫儀的讀數與設定目標溫度值兩者相等；如果讀數小于設定目標溫度值，對加熱器升溫，并重復步驟2至步驟4，直到中心測溫儀的讀數與設定目標溫度值兩者相等；
步驟6，讀取中心測溫儀讀數。
2.根據權利要求1所述的半導體工藝的溫度測量和調節方法，其特征在于所述步驟2徑向測溫儀的測溫方式為單波長或雙波長或者多波長溫度測量。
3.根據權利要求1所述的半導體工藝的溫度測量和調節方法，其特征在于步驟2所述的用兩個以上的徑向測溫儀的徑向測溫方式一致。
4.根據權利要求1所述的半導體工藝的溫度測量和調節方法，其特征在于步驟4中的中心測溫儀測溫方式為單波長或雙波長或者多波長溫度測量。
5.根據權利要求1所述的半導體工藝的溫度測量和調節方法，其特征在于所述被測溫度目標的中心區域具備使用紅外測溫相對準確的測溫條件為：測溫表面狀態穩定。
6.權利要求1的半導體工藝的溫度測量和調節方法，其特征在于所述被測溫度目標為半導體工藝中使用的載片盤或者襯底表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
