[發明專利]太陽能電池器件及其制備方法無效
| 申請號: | 201310264337.9 | 申請日: | 2013-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN104253167A | 公開(公告)日: | 2014-12-31 |
| 發明(設計)人: | 周明杰;黃輝;陳吉星;王平 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0256 | 分類號: | H01L31/0256;H01L31/06;H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 生啟;何平 |
| 地址: | 518100 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池器件,其特征在于,包括依次層疊的陽極、空穴緩沖層、第一活性層、中間層、第二活性層、電子緩沖層及陰極,所述第一活性層和第二活性層的材料為聚3-己基噻吩與6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的混合物,所述中間層包括富勒烯衍生物層、層疊于所述富勒烯衍生物層表面的鋰鹽層及層疊于所述鋰鹽層表面的摻雜層,所述富勒烯衍生物層的材料選自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯及[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的至少一種,所述鋰鹽層的材料選自碳酸鋰、氟化鋰及氧化鋰中的至少一種,所述摻雜層的材料包括酞菁化合物及摻雜在所述酞菁化合物中的空穴傳輸材料,所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鎂、酞菁鋅及酞菁釩中的至少一種,所述空穴傳輸材料選自2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌、4,4',4-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺及4,4',4-三(N,N-2-苯基氨基)三苯胺中的至少一種。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池器件,其特征在于:所述富勒烯衍生物層的厚度為40nm~80nm,所述鋰鹽層的厚度為50nm~100nm,所述摻雜層的厚度為30nm~60nm。
3.根據權利要求1所述的太陽能電池器件,其特征在于:所述摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述酞菁化合物的質量比為1:100~10:100。
4.根據權利要求1所述的太陽能電池器件,其特征在于:所述空穴緩沖層的材料為聚3,4-二氧乙烯噻吩與聚苯磺酸鹽的混合物。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池器件,其特征在于:所述第一活性層及第二活性層中所述聚3-己基噻吩與所述6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的質量比為1:0.5~1:4。
6.一種太陽能電池器件的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
在陽極表面上旋涂制備空穴緩沖層;
在所述空穴緩沖層上旋涂含有聚3-己基噻吩及6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的溶液,形成第一活性層;
將含有富勒烯衍生物的懸浮液旋涂在所述第一活性層表面制備富勒烯衍生物層,所述富勒烯衍生物選自足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯及[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的至少一種;
將含有鋰鹽的溶液旋涂在所述富勒烯衍生物層的表面制備鋰鹽層,所述鋰鹽選自碳酸鋰、氟化鋰及氧化鋰中的至少一種;
將含有摻雜材料的懸浮液旋涂在所述鋰鹽層的表面制備摻雜層,所述摻雜材料包括酞菁化合物及摻雜在所述酞菁化合物中的空穴傳輸材料,所述酞菁化合物選自酞菁銅、酞菁鎂、酞菁鋅及酞菁釩中的至少一種,所述空穴傳輸材料選自2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基對苯醌、4,4',4-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺、4,4',4-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯胺及4,4',4-三(N,N-2-苯基氨基)三苯胺中的至少一種;
在所述摻雜層表面旋涂含有聚3-己基噻吩及6,6-苯基-C61-丁酸甲酯的溶液,形成第二活性層;及
在所述第二活性層的表面依次蒸鍍制備電子緩沖層及陰極。
7.根據權利要求6所述的太陽能電池器件的制備方法,其特征在于:所述富勒烯衍生物層的厚度為40nm~80nm,所述鋰鹽層的厚度為50nm~100nm,所述摻雜層的厚度為30nm~60nm。
8.根據權利要求6所述的太陽能電池器件的制備方法,其特征在于:所述摻雜層中所述空穴傳輸材料與所述酞菁化合物的質量比為1:100~10:100。
9.根據權利要求6所述的太陽能電池器件的制備方法,其特征在于:所述含有富勒烯衍生物的懸浮液中,所述富勒烯衍生物的濃度為10mg/mL~30mg/mL。
10.根據權利要求6所述的太陽能電池器件的制備方法,其特征在于:所述含有鋰鹽的溶液中,所述鋰鹽的濃度為50mg/ml~100mg/ml。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





