[發明專利]一種鍵合方法及采用該鍵合方法形成的鍵合結構有效
| 申請號: | 201310263865.2 | 申請日: | 2013-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN103354210A | 公開(公告)日: | 2013-10-16 |
| 發明(設計)人: | 蔡堅;劉子玉;王謙;王水弟;胡楊;陳瑜 | 申請(專利權)人: | 清華大學 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L23/488 |
| 代理公司: | 北京潤平知識產權代理有限公司 11283 | 代理人: | 陳瀟瀟;肖冰濱 |
| 地址: | 100084*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 方法 采用 形成 結構 | ||
1.一種鍵合方法,該鍵合方法包括:
生成能夠相互嵌套的鍵合結構,其中所述能夠相互嵌套的鍵合結構之間的摩擦熱大于它們之間的鍵合能;以及
利用所述能夠相互嵌套的鍵合結構之間的摩擦熱來鍵合所述能夠相互嵌套的鍵合結構。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,生成能夠相互嵌套的鍵合結構包括:
在襯底上生成第一凸點下金屬層圖案;
在所述第一凸點下金屬層圖案上形成第二凸點下金屬層圖案;以及
在所述第二凸點下金屬層圖案上形成凸點,從而形成所述能夠相互嵌套的鍵合結構,其中,在將所述能夠相互嵌套的鍵合結構進行鍵合時,所述凸點能夠與所述第一凸點下金屬層圖案進行鍵合。
3.根據權利要求2所述的方法,其中,所述凸點與所述第一凸點下金屬層圖案通過加低壓及熱退火處理完成最終鍵合。
4.根據權利要求2或3所述的方法,其中,所述第一凸點下金屬層圖案由位于所述襯底上的粘附層和位于所述粘附層上的種子層構成。
5.根據權利要求4所述的方法,其中,所述粘附層由能夠與所述襯底粘附的金屬構成。
6.根據權利要求5所述的方法,其中,所述粘附層由TiN、TiW、Ti、Cr、Ta、Mo、Co中的至少一者構成。
7.根據權利要求4所述的方法,其中,所述種子層由金屬構成。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,所述種子層由銅構成。
9.根據權利要求2、3和5-8中任一權利要求所述的方法,其中,所述凸點由金屬構成。
10.根據權利要求1-3和5-8中任一項權利要求所述的方法,其中,所述能夠相互嵌套的鍵合結構中的鍵合剖面是斜面。
11.一種采用權利要求1-10中任一項權利要求所述的方法形成的鍵合結構。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





