[發明專利]淺溝槽隔離方法

在審

• 申請號: 201310263816.9
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN104253080A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發明（設計）人: 譚宇琦
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種淺溝槽隔離方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一、提供基底，所述基底的一側表面形成有柵電極，相鄰的所述柵電極之間形成淺溝槽；

步驟二、在步驟一得到的所述基底上形成有柵電極的一側沉積高密度等離子體氧化物形成高密度等離子體氧化物層；

步驟三、采用濕法腐蝕對步驟二得到高密度等離子體氧化物層進行腐蝕，在所述高密度等離子體氧化物層上形成開口，所述開口的深寬比小于所述淺溝槽的深寬比；

步驟四、在所述開口內進一步填充所述高密度等離子體氧化物以與步驟三的高密度等離子體氧化物形成對所述淺溝槽的完整填充。

2.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，步驟一中，所述基底為硅片。

3.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，步驟二中，所述高密度等離子體氧化物層的厚度為4000埃～7000埃，所述高密度等離子體氧化物為SiO₂。

4.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，步驟二中，沉積在所述基底的淺溝槽的底部和側壁的高密度等離子體氧化物層形成一條狹長的槽。

5.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，步驟二中，采用化學氣相沉積法沉積高密度等離子體氧化物層。

6.根據權利要求5所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，所述化學氣相沉積法使用的氣源為SiH₄和O₂。

7.根據權利要求6所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，所述SiH₄的流量為51sccm～61sccm，所述O₂的流量為122sccm～142sccm。

8.根據權利要求1所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，步驟三中，所述濕法腐蝕的腐蝕劑為BOE緩沖刻蝕液或HF溶液。

9.根據權利要求8所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，所述BOE緩沖刻蝕液為HF和NH₄F的混合液，其中，HF和NH₄F的濃度比為1:6。

10.根據權利要求8所述的淺溝槽隔離方法，其特征在于，所述HF溶液由體積比為1:100的質量百分濃度為49%的HF和去離子水組成。