[發明專利]膠粘薄膜、半導體裝置的制造方法以及半導體裝置

有效

• 申請號: 201310263748.6
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103515276B
• 公開（公告）日: 2017-10-03
• 發明（設計）人: 宍戶雄一郎;三隅貞仁;大西謙司
• 申請（專利權）人: 日東電工株式會社
• 主分類號: H01L21/68
• 分類號: H01L21/68;H01L21/58;C09J7/00
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 王海川,穆德駿

1.一種膠粘薄膜，用于將固定在被粘物上的第一半導體元件包埋并且將與該第一半導體元件不同的第二半導體元件固定到被粘物上，其中，

所述膠粘薄膜含有環氧樹脂和酚醛樹脂，

所述膠粘薄膜具有比所述第一半導體元件的厚度T₁更厚的厚度T，

所述被粘物與所述第一半導體元件被絲焊連接、并且所述厚度T與所述厚度T₁之差為40μm以上且260μm以下，或者

所述被粘物與所述第一半導體元件被倒裝連接、并且所述厚度T與所述厚度T₁之差為10μm以上且200μm以下。

2.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

所述被粘物與所述第一半導體元件被絲焊連接、并且所述厚度T為80μm以上且300μm以下。

3.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

所述被粘物與所述第一半導體元件被倒裝連接、并且所述厚度T為50μm以上且250μm以下。

4.如權利要求1所述的膠粘薄膜，其中，

120℃下的熔融粘度為100Pa·s以上且2000Pa·s以下。

5.一種半導體裝置的制造方法，包括如下工序：

將至少一個第一半導體元件固定到被粘物上的第一固定工序，和

利用權利要求1～4中任一項所述的膠粘薄膜將所述第一半導體元件包埋的同時將與所述第一半導體元件不同的第二半導體元件固定到所述被粘物上的第二固定工序。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述第一固定工序中，利用第一半導體元件固定用的第一膠粘薄膜將所述第一半導體元件固定到所述被粘物上。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的制造方法，其中，

還包括利用焊線將所述第一半導體元件與所述被粘物電連接的絲焊工序。

8.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

在所述第一固定工序中，通過倒裝連接將所述第一半導體元件固定到所述被粘物上。

9.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，

還包括在所述第二半導體元件上固定與該第二半導體元件同種或不同種的第三半導體元件的第三固定工序。

10.通過權利要求5所述的半導體裝置的制造方法得到的半導體裝置。