[發(fā)明專利]射頻耦合器

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310263539.1
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103367855A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張同超;楊飛
• 申請（專利權(quán)）人: 華為技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 劉芳

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明實施例涉及電子電路技術(shù)，尤其涉及一種射頻耦合器。

背景技術(shù)

在有源天線系統(tǒng)/有源天線陣列(Active?Antenna?System/Active?Antenna?Array，簡稱AAS/AAA)基站中，射頻耦合器是饋電網(wǎng)絡(luò)的核心組成部分。由于饋電網(wǎng)絡(luò)直接與天線側(cè)進行連接，因此射頻耦合器需要滿足低無源互調(diào)(Passive?Intermodulation，簡稱PIM)的要求。

現(xiàn)有的射頻耦合器一般采用寬邊耦合，兩條耦合線平行部署在兩接地面之間，各耦合線分節(jié)進行耦合處理，各節(jié)之間錯層或錯位連接。圖1A為現(xiàn)有的射頻耦合器的正視圖，如圖1A所示，射頻耦合器的耦合線由三節(jié)耦合線組成，其中第一節(jié)耦合線13和第三節(jié)耦合線15為弱耦合，第二節(jié)耦合線14為強耦合，每節(jié)耦合線與各自對應(yīng)的上接地面12和下接地面11之間的地間距相等；圖1B為現(xiàn)有的射頻耦合器的側(cè)視圖，如圖1B所示，第一節(jié)耦合線13、第三節(jié)耦合線15與第二節(jié)耦合線14分布在不同平面層，各節(jié)耦合線之間采用過孔16錯層連接。

現(xiàn)有寬邊耦合的射頻耦合器的結(jié)構(gòu)中，無論采用錯層還是錯位對各節(jié)耦合線進行連接，都存在非線性接觸點，如圖1B中的過孔16。而非線性接觸點會導(dǎo)致PIM值增加，且非線性接觸點還會導(dǎo)致耦合線不易彎曲，難以實現(xiàn)小型化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明實施例提供一種射頻耦合器，以解決現(xiàn)有射頻耦合器存在非線性接觸點的問題，以實現(xiàn)耦合器小型化、低PIM的要求。

第一個方面，本發(fā)明實施例提供一種射頻耦合器，包括：至少兩節(jié)耦合段，每節(jié)耦合段包括兩個接地面和兩接地面之間的兩耦合線，不同節(jié)耦合段的耦合線之間共面連接；不同節(jié)耦合段的接地面與耦合線之間的距離不等；不同節(jié)的兩耦合線之間的距離相等。

在第一個方面的第一種可能的實現(xiàn)方式中，每節(jié)耦合段中的耦合線的長度為工作頻率的四分之一波長；每節(jié)耦合段中，耦合線的寬度與該耦合線與接地面之間的距離和奇偶模阻抗相互匹配。

根據(jù)第一個方面的第一種可能的實現(xiàn)方式，在第一個方面的第二種可能的實現(xiàn)方式中，各節(jié)耦合段采用切比雪夫原理進行分節(jié)，節(jié)數(shù)為奇數(shù)，且大于1。

根據(jù)第一個方面的第二種可能的實現(xiàn)方式，在第一個方面的第三種可能的實現(xiàn)方式中，每節(jié)耦合段中，兩耦合線和兩接地面均相互平行，且兩端對齊。

根據(jù)第一個方面的第三種可能的實現(xiàn)方式，在第一個方面的第四種可能的實現(xiàn)方式中，所述耦合段的節(jié)數(shù)為三節(jié)，分別為順序排列第一節(jié)、第二節(jié)和第三節(jié)；所述第一節(jié)和第三節(jié)中的耦合線的寬度相等，且接地面與耦合線之間的距離相等；所述第二節(jié)中的耦合線的寬度大于第一節(jié)和第三節(jié)中耦合線的寬度，且第二節(jié)中接地面與耦合線之間的距離大于第一節(jié)和第三節(jié)中接地面與耦合線之間的距離。

根據(jù)第一個方面，第一個方面的第一種至第四種可能的實現(xiàn)方式，在第一個方面的第五種可能的實現(xiàn)方式中，所述耦合線和接地面的形狀為直線形、S線形或螺旋線形。

本發(fā)明實施例在固定耦合線的間距的同時通過改變接地面的間距來實現(xiàn)需要的阻抗和耦合度。通過將不同節(jié)耦合段的耦合線之間共面連接、不同節(jié)耦合段的接地面與耦合線之間的距離不等，避免不同節(jié)耦合段的耦合線之間存在非線性接觸點，解決現(xiàn)有射頻耦合器各耦合段之間因存在非線性接觸點如過孔而導(dǎo)致的PIM值過大的問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1A為現(xiàn)有的射頻耦合器的正視圖；

圖1B為現(xiàn)有的射頻耦合器的側(cè)視圖；

圖2為本發(fā)明射頻耦合器實施例一的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3A為本發(fā)明射頻耦合器實施例二的正視圖；

圖3B為本發(fā)明射頻耦合器實施例二的側(cè)視圖；

圖3C為本發(fā)明射頻耦合器實施例二的耦合段單節(jié)結(jié)構(gòu)圖；

圖4為本發(fā)明射頻耦合器實施例三的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本發(fā)明射頻耦合器實施例四的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明射頻耦合器實施例四的結(jié)構(gòu)建模仿真的結(jié)果圖。

具體實施方式