[發明專利]具有掩埋位線的半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310263327.3
• 申請日: 2013-06-27
• 公開（公告）號: CN103681678B
• 公開（公告）日: 2018-04-20
• 發明（設計）人: 明周鉉;黃義晟;樸恩實;金泰潤
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙)11363
• 代理人: 俞波,許偉群

1.一種半導體結構，包括：

垂直結構，所述垂直結構包括掩埋導體和阻擋層，

其中每個掩埋導體包括金屬硅化物并且掩埋在垂直結構中；以及

其中所述阻擋層與所述金屬硅化物的上表面和下表面接觸，并且包含用于防止金屬硅化物聚結的鍺Ge。

2.如權利要求1所述的半導體結構，其中，所述阻擋層包括硅鍺SiGe。

3.如權利要求2所述的半導體結構，其中，所述阻擋層中的鍺的含量至少為約30％。

4.一種半導體器件，包括:

半導體本體，所述半導體本體形成為半導體襯底的層疊結構；

掩埋位線；以及

阻擋層；

其中每個掩埋位線包括金屬硅化物并且掩埋在所述半導體本體中；

其中所述阻擋層包含鍺并且形成在所述掩埋位線的上方和下方。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述阻擋層中的每個包括硅鍺。

6.如權利要求5所述的半導體器件，其中，所述阻擋層中的每個中的鍺的含量至少為約30％。

7.如權利要求4所述的半導體器件，其中，所述金屬硅化物包括鈷硅化物。

8.如權利要求4所述的半導體器件，還包括：

半導體柱體，所述半導體柱體形成在所述半導體本體之上，并且包括垂直溝道晶體管的溝道區；以及

儲存器，所述儲存器與所述半導體柱體的上部連接。