[發明專利]檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法有效
| 申請號： | 201310262927.8 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN103346100A | 公開（公告）日： | 2013-10-09 |
| 發明（設計）人： | 范榮偉;陳宏璘;龍吟;倪棋梁 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陸花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 檢測 接觸 多晶 柵極 對準 方法 | ||
1.一種檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法，其特征在于包括：
第一步驟：準備檢測待檢測晶圓，將待檢測晶圓流片到阱區離子注入步驟，跳過N阱離子注入步驟，并將P阱離子注入改為無光阻離子注入，使晶圓基底全部成為P離子區；
第二步驟：將待檢測晶圓繼續流片到有源區離子注入，跳過P有源區離子注入步驟，將N源區離子注入改為無光阻離子注入；
第三步驟：將晶圓流片到接觸孔平坦化制程，并在接觸孔平坦化制程后應用電子束缺陷掃描儀對待檢測晶圓進行漏電缺陷檢測。
2.根據權利要求1所述的檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法，其特征在于，在第三步驟中，將電子束缺陷掃描儀拍攝的亮接觸孔確定為具有漏電缺陷的接觸孔，將電子束缺陷掃描儀拍攝的暗接觸孔確定為沒有漏電缺陷的接觸孔。
3.根據權利要求1或2所述的檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法，其特征在于，在第三步驟中，調整電子束缺陷掃描儀使得著陸電壓在600eV-1200eV之間。
4.根據權利要求1或2所述的檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法，其特征在于，在第三步驟中，調整電子束缺陷掃描儀使得電流為7nA-20nA之間。
5.根據權利要求1或2所述的檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法，其特征在于，在第三步驟中，調整電子束缺陷掃描儀使之采用的像素在50nm-80nm之間。
6.根據權利要求1或2所述的檢測接觸孔與多晶硅柵極對準度的方法，其特征在于還包括：通過將檢測到的漏電缺陷進行自動分類，進一步甄選出具有相對位置關系的漏電缺陷。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
