[發明專利]用于光刻的清洗劑、抗蝕劑圖案形成方法及半導體器件制造方法在審
| 申請號： | 201310262729.1 | 申請日： | 2013-06-27 |
| 公開（公告）號： | CN103631102A | 公開（公告）日： | 2014-03-12 |
| 發明（設計）人： | 小澤美和;今純一;野崎耕司 | 申請（專利權）人： | 富士通株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/42 | 分類號： | G03F7/42;G03F7/00;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 顧晉偉;全萬志 |
| 地址： | 日本神*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 光刻 洗劑 抗蝕劑 圖案 形成 方法 半導體器件 制造 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于光刻的清洗劑，其包含：
C6-C8直鏈烷二醇；和
水。
2.根據權利要求1所述的清洗劑，其中相對于100質量份的所述水，所包含的所述C6-C8直鏈烷二醇的量為0.2質量份或更大。
3.根據權利要求1所述的清洗劑，其中所述C6-C8直鏈烷二醇是1，2-己二醇、1，2-庚二醇、1，2-辛二醇或1，8-辛二醇或其任意組合。
4.根據權利要求1所述的清洗劑，其還包含表面活性劑。
5.根據權利要求4所述的清洗劑，其中所述表面活性劑是苯扎氯銨。
6.一種用于形成抗蝕劑圖案的方法，其包括：
使用顯影液對已形成在處理表面上并且已經歷曝光的抗蝕劑膜進行顯影；和
在所述顯影之后，使用用于光刻的清洗劑清洗所述抗蝕劑膜，
其中所述用于光刻的清洗劑包含：
C6-C8直鏈烷二醇；和
水。
7.根據權利要求6所述的方法，其還包括在所述清洗之后加熱。
8.根據權利要求6所述的方法，其還包括在所述清洗之后使用純水進行第二清洗。
9.一種用于制造半導體器件的方法，其包括：
使用顯影液對已形成在處理表面上并且已經歷曝光的抗蝕劑膜進行顯影；
在所述顯影之后，使用用于光刻的清洗劑清洗所述抗蝕劑膜；以及
在所述清洗之后，使用所形成的抗蝕劑圖案作為掩模蝕刻所述處理表面以使所述處理表面圖案化，
其中所述用于光刻的清洗劑包含：
C6-C8直鏈烷二醇；和
水。
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