[發(fā)明專利]感應耦合等離子體裝置、分光分析裝置以及質量分析裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310261620.6 | 申請日: | 2013-06-27 |
| 公開(公告)號: | CN103515184B | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發(fā)明(設計)人: | 松澤修;赤松憲一;中野信男;一宮豐;田邊英規(guī);夏井克己 | 申請(專利權)人: | 日本株式會社日立高新技術科學 |
| 主分類號: | H01J49/10 | 分類號: | H01J49/10;G01N21/73 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 李輝,黃綸偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感應 耦合 等離子體 裝置 分光 分析 以及 質量 | ||
1.一種感應耦合等離子體裝置,其特征在于,該感應耦合等離子體裝置具有:
導入試樣的試樣導入部,
等離子體炬,其為由載氣用的內管、輔助氣體用的中間管以及等離子氣體用的外管構成的同心的三重管結構,在一端部具有所述內管的氣體導入部、所述中間管的氣體導入部以及所述外管的氣體導入部,另一端部為開口狀態(tài);
圓筒形狀的罩,其與所述等離子體炬是分離的,具有足夠包圍到生成的等離子體火焰的前端部的高度,且該罩被配置成間隔開規(guī)定的距離地外嵌在所述等離子體炬上;
感應線圈,其以包圍所述等離子體火焰形成的、在所述等離子體炬的開口端附近的等離子體生成區(qū)域的方式,外嵌地配置在所述罩上;
氣體控制部,其控制所述載氣、所述輔助氣體以及所述等離子氣體;以及
校正氣體導入機構,其將用于校正所述等離子氣體的流路的校正氣體導入到在所述罩的內表面和所述外管的外表面之間形成的間隙部,
所述罩在被支撐在基底部上的開口端部的圓周上的一部分,具有連通其圓筒的內外部的槽,其中,所述基底部支撐固定所述罩,
所述基底部在與所述罩的固定側的圓筒端部相接的線上的一部分具有能夠與所述槽吻合的凸部,該凸部成為配置時的基準。
2.根據權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述校正氣體導入機構具有噴出所述校正氣體的毛細管,
該毛細管的噴出側端部配置為朝向所述罩的固定側端部的所述間隙部。
3.根據權利要求2所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述罩在被支撐在基底部上的開口端部的圓周上的一部分,具有連通其圓筒的內外部的槽,其中,所述基底部支撐固定所述罩,
所述毛細管的噴出側端部從所述罩的固定側的端部側面朝向所述槽。
4.根據權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述校正氣體導入機構具有所述校正氣體用的流路,
所述校正氣體用的流路沿著所述等離子體炬的氣體導入部側的所述間隙部的一部分或者全部而配置,且沿著該間隙部的部分的一部分或者全部為開口狀態(tài)。
5.根據權利要求2所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述毛細管使導入所述校正氣體的一側的端部與從所述氣體控制部的連接到所述外管的氣體流路的中途分支的氣體流路連接,使得所述校正氣體與所述等離子氣體的增減聯動地增減。
6.根據權利要求4所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述校正氣體用的流路使導入所述校正氣體的一側的端部與從所述氣體控制部的連接到所述外管的氣體流路的中途分支的氣體流路連接,使得所述校正氣體與所述等離子氣體的增減聯動地增減。
7.根據權利要求2所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述毛細管具有與所述等離子氣體不同的氣體控制部,所述校正氣體與所述等離子氣體是不同的氣體。
8.根據權利要求4所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述校正氣體用的流路具有與所述等離子氣體不同的氣體控制部,所述校正氣體與所述等離子氣體是不同的氣體。
9.根據權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置,其中,
所述罩在與固定到支撐固定所述罩的基底部的固定側相反的一側的端部或其附近,具有一個或者多個用于測光的槽或者孔。
10.一種分光分析裝置,其中,
該分光分析裝置具有權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置。
11.一種質量分析裝置,其中,
該質量分析裝置具有權利要求1所述的感應耦合等離子體裝置。
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