[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201310261394.1 | 申請日： | 2013-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN104253034B | 公開（公告）日： | 2018-03-06 |
| 發明（設計）人： | 李廣寧;沈哲敏 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/3063 | 分類號： | H01L21/3063;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 屈蘅,李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：
步驟一：提供一半導體襯底，所述半導體襯底上至少具有一個硅通孔結構，所述硅通孔結構內形成有填充材料層；
步驟二：對所述半導體襯底進行電解拋光；以及
步驟三：對所述步驟二后的半導體襯底進行化學機械研磨；
在所述步驟一和步驟二之間，還包括：
掃描所述填充材料層的形貌以及原始厚度；以及
根據所述填充材料層的形貌、原始厚度以及目標厚度，計算電解終點以及電解拋光條件。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述硅通孔結構包括通孔以及填充所述通孔的填充材料層，并且所述填充材料層覆蓋所述半導體襯底表面。
3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述填充材料層的材料為銅。
4.如權利要求2或3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述步驟二包括：
將所述半導體襯底放入一電解槽內，所述電解槽內盛有電解液；
以預定速度移動所述半導體襯底，使所述填充材料層接觸到所述電解液；以及
當所述填充材料層被電解到目標厚度時，停止電解拋光。
5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述目標厚度為1.5μm～2.5μm。
6.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述電解槽還包括設置于所述電解液內的陰極。
7.如權利要求6所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述陰極為金屬陶瓷復合多孔陰極。
8.如權利要求7所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述電解槽還包括設置于所述金屬陶瓷復合多孔陰極上的多孔陶瓷襯墊。
9.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬陶瓷復合多孔陰極的厚度為3mm～5mm，所述多孔陶瓷襯墊的厚度為1mm～2mm。
10.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟二中，將所述半導體襯底設置為陽極，并使所述填充材料層面向所述多孔陶瓷襯墊。
11.如權利要求8所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟二中，對所述電解液施加一從下往上的壓力，使所述電解液完全滲透至所述多孔陶瓷襯墊中，并不溢出所述多孔陶瓷襯墊。
12.如權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述步驟二中，所述填充材料層與所述多孔陶瓷襯墊接觸。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
