[發(fā)明專利]化學干法蝕刻方法和半導體器件的形成方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310261309.1 | 申請日： | 2013-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN103346066B | 公開（公告）日： | 2017-10-10 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張程;包中誠 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 化學 蝕刻 方法 半導體器件 形成 | ||
1.一種化學干法蝕刻方法，其特征在于，包括：
提供化學干法蝕刻機，所述化學干法蝕刻機包括石英玻璃管；
采用氫氟酸對所述石英玻璃管進行脫羥處理；
采用所述化學干法蝕刻機進行干法蝕刻；其中，所述脫羥處理用以提高晶圓上的蝕刻速率的穩(wěn)定性。
2.如權利要求1所述的化學干法蝕刻方法，其特征在于，所述氫氟酸的體積百分比大于或等于10％且小于或等于80％。
3.如權利要求1所述的化學干法蝕刻方法，其特征在于，所述脫羥處理的時間大于或等于10分鐘且小于或等于30分鐘。
4.如權利要求1所述的化學干法蝕刻方法，其特征在于，在采用氫氟酸對所述石英玻璃管進行清洗之后且在進行干法蝕刻之前，所述方法還包括：采用去離子水清洗所述石英玻璃管。
5.如權利要求4所述的化學干法蝕刻方法，其特征在于，在采用去離子水清洗所述石英玻璃管之后且在進行干法蝕刻之前，所述方法還包括：對所述石英玻璃管進行烘干處理。
6.如權利要求5所述的化學干法蝕刻方法，其特征在于，所述烘干處理的溫度包括80℃～110℃，時間包括30分鐘～100分鐘。
7.如權利要求1所述的化學干法蝕刻方法，其特征在于，進行所述干法蝕刻包括：坡面多晶硅蝕刻、有源多晶硅回蝕、記憶多晶硅蝕刻、多晶硅細脈蝕刻、氮化物細脈蝕刻或功率器件的底部圓形蝕刻中的一種或多種。
8.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括如權利要求1至7中任一項所述的化學干法蝕刻方法。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
