[發明專利]背鈍化太陽能電池及其制作方法有效
| 申請號： | 201310261117.0 | 申請日： | 2013-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN103367540A | 公開（公告）日： | 2013-10-23 |
| 發明（設計）人： | 徐卓;楊學良;楊德成;趙文超;李高非;胡志巖;熊景峰 | 申請（專利權）人： | 英利集團有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 王寶筠 |
| 地址： | 071051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 鈍化 太陽能電池 及其 制作方法 | ||
1.一種背鈍化太陽能電池的制作方法，其特征在于，包括：
提供硅片，所述硅片包括硅片基體、覆蓋在所述硅片基體正面的摻雜層、及覆蓋在所述摻雜層背離所述硅片基體一側表面上的減反射層；
在所述硅片基體的背面形成背面場，烘干所述背面場，所述背面場具有鏤空圖案；
在所述背面場背離所述硅片基體的一側形成背鈍化層，所述背鈍化層覆蓋所述背面場和所述硅片基體的背面；
在所述背鈍化層背離所述硅片基體一側的表面上形成背電極，烘干所述背電極；
在所述減反射層背離所述硅片基體一側的表面上形成正電極，烘干所述正電極；
對烘干完所述正電極的硅片進行燒結，完成所述背鈍化太陽能電池的制作。
2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述鏤空圖案為柵狀圖案、花紋圖案、折線圖案或曲線圖案。
3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述鏤空圖案均勻分布于所述硅片基體的背面。
4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背鈍化層的厚度范圍為1nm～100nm，包括端點值。
5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背鈍化層為單層結構或疊層結構。
6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背鈍化層的形成材料為介電材料。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述背鈍化層的形成材料為氧化鋁、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述背鈍化層的形成材料為本征半導體材料。
9.一種背鈍化太陽能電池，其特征在于，采用權利要求1～8任一項所述的制作方法制作，所述背鈍化太陽能電池包括：
硅片基體，覆蓋在所述硅片基體正面的摻雜層，覆蓋在所述摻雜層背離所述硅片基體一側表面上的減反射層；
位于所述硅片基體背面的背面場，所述背面場具有鏤空圖案；
位于所述背面場背離所述硅片基體一側的背鈍化層，所述背鈍化層覆蓋所述背面場和所述硅片基體的背面；
位于所述背鈍化層背離所述硅片基體一側表面上的背電極；
位于所述減反射層背離所述硅片基體一側表面上的正電極。
10.根據權利要求9所述的背鈍化太陽能電池，其特征在于，所述鏤空圖案為柵狀圖案、花紋圖案、折線圖案或曲線圖案。
11.根據權利要求10所述的背鈍化太陽能電池，其特征在于，所述鏤空圖案均勻分布于所述硅片基體的背面。
12.根據權利要求10所述的背鈍化太陽能電池，其特征在于，所述背鈍化層的厚度范圍為1nm～100nm，包括端點值。
13.根據權利要求10所述的背鈍化太陽能電池，其特征在于，所述背鈍化層為單層結構或疊層結構。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
