[發明專利]封裝內封裝及其形成方法有效
| 申請號: | 201310261023.3 | 申請日: | 2013-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN103515260B | 公開(公告)日: | 2017-03-01 |
| 發明(設計)人: | 拉爾夫·奧特倫巴;約瑟夫·赫格勞爾;克勞斯·席斯;克薩韋爾·施勒格爾;于爾根·施雷德爾 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技奧地利有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京康信知識產權代理有限責任公司11240 | 代理人: | 余剛,梁韜 |
| 地址: | 奧地利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 及其 形成 方法 | ||
1.一種半導體器件,包括:
引線框,具有多個引線和小片焊盤;
被附接到所述引線框的所述小片焊盤的半導體模塊,所述半導體模塊包括被配置在第一密封劑中的第一半導體芯片,所述半導體模塊具有耦接到所述第一半導體芯片的多個接觸墊;
多個互連件,將所述多個接觸墊與所述多個引線耦接;以及
第二密封劑,被配置在所述半導體模塊和所述引線框。
2.根據權利要求1所述的器件,其中,所述半導體模塊包括第二半導體芯片,以及其中,所述第一半導體芯片通過被配置在靠近所述半導體模塊的第一側的前側再分配線耦接到所述第二半導體芯片。
3.根據權利要求2所述的器件,其中,所述第一半導體芯片進一步通過被配置在靠近所述半導體模塊的第二側的后側再分配線耦接到所述第二半導體芯片。
4.根據權利要求1所述的器件,其中,所述多個引線的總數不同于所述半導體模塊的所述多個接觸墊的總數。
5.根據權利要求1所述的器件,其中,所述多個引線利用配線接合或引線接合來耦接到所述多個接觸墊。
6.根據權利要求1所述的器件,其中,所述多個引線利用夾子接合來耦接到所述多個接觸墊。
7.一種半導體器件,包括:
引線框,具有多個引線和小片焊盤;
被配置在所述引線框的所述小片焊盤上的半導體模塊,所述半導體模塊包括第一半導體芯片,所述半導體模塊具有耦接到所述第一半導體芯片的多個接觸墊,其中,所述半導體模塊是嵌入式晶圓級封裝;以及
密封劑,被配置在所述半導體模塊和所述引線框。
8.根據權利要求7所述的器件,其中,所述半導體模塊包括第二半導體芯片,以及其中,所述第一半導體芯片通過被配置在靠近所述半導體模塊的第一側的前側再分配線耦接到所述第二半導體芯片。
9.根據權利要求8所述的器件,其中,所述第一半導體芯片進一步通過被配置在靠近所述半導體模塊的第二側的后側再分配線耦接到所述第二半導體芯片。
10.根據權利要求7所述的器件,其中,所述第一半導體芯片是分立式功率晶體管。
11.根據權利要求7所述的器件,其中,所述多個接觸墊包括源極接觸墊、漏極接觸墊以及控制接觸墊。
12.根據權利要求11所述的器件,其中,所述源極接觸墊耦接到所述第一半導體芯片的第一側,以及其中,所述漏極接觸墊耦接到所述第一半導體芯片的相反的第二側。
13.根據權利要求7所述的器件,其中,所述多個引線的布置獨立于所述第一半導體芯片上的所述多個接觸墊的布置。
14.根據權利要求7所述的器件,其中,所述多個引線的總數不同于所述半導體模塊的所述多個接觸墊的總數。
15.根據權利要求7所述的器件,其中,所述多個引線利用配線接合或引線接合來耦接到所述多個接觸墊。
16.根據權利要求7所述的器件,其中,所述多個引線利用夾子接合來耦接到所述多個接觸墊。
17.一種半導體器件,包括:
被配置在引線框封裝內的半導體封裝,所述半導體封裝是非標準封裝,所述引線框是符合標準的標準封裝,所述半導體封裝和引線框封裝具有基本相同的功能。
18.根據權利要求17所述的器件,其中,所述標準封裝符合JEDEC標準。
19.根據權利要求17所述的器件,其中,所述半導體封裝是嵌入式晶圓級封裝。
20.根據權利要求17所述的器件,其中,所述半導體封裝包括多個半導體芯片。
21.一種形成半導體器件的方法,所述方法包括:
提供具有多個引線和小片焊盤的引線框;
提供包括被配置在第一密封劑中的第一半導體芯片的半導體模塊,所述半導體模塊具有耦接到所述第一半導體芯片的多個接觸墊;
將所述半導體模塊附接到所述引線框的所述小片焊盤;
將所述多個接觸墊與所述多個引線電耦接;以及
利用第二密封劑將所述半導體模塊和所述引線框密封。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





