[發明專利]一種疏水表面、制備方法及其在滴狀冷凝傳熱中的應用

無效

• 申請號: 201310260704.8
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103359684A
• 公開（公告）日: 2013-10-23
• 發明（設計）人: 王莉;王權岱;丁玉成;崔志波;嚴誠平
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: B82B1/00
• 分類號: B82B1/00;F28F27/00;B82B3/00;B82Y30/00;B82Y40/00;B05D5/08
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 汪人和

1.一種疏水表面，其特征在于：該疏水表面為微納米兩級結構，微納米兩級結構的表面上設置有疏水涂層，所述疏水表面具有各向異性潤濕性。

2.根據權利要求1所述一種疏水表面，其特征在于：所述微納米兩級結構具有各向異性。

3.根據權利要求1所述一種疏水表面，其特征在于：所述微納米兩級結構包括設置于基底（1）上的柵線形微米結構（2）以及設置于柵線形微米結構（2）上的納米柱狀陣列（3）。

4.根據權利要求3所述一種疏水表面，其特征在于：所述柵線的方向在冷凝傳熱過程中與重力方向保持一致。

5.根據權利要求3所述一種疏水表面，其特征在于：所述柵線形微米結構（2）使疏水表面形成條形的凸起和凹槽，納米柱狀陣列（3）遍布于凸起和凹槽上。

6.一種如權利要求1所述疏水表面的制備方法，其特征在于：該疏水表面直接在基底表面構建，或者將制備好的具有微納米兩級結構的疏水柔性薄膜固定于基底表面上。

7.一種如權利要求1所述疏水表面的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1）采用旋涂、光刻結合的方法在金屬樣片的表面上制作具有柵線圖形的光刻膠絕緣屏蔽膜；

2）經過步驟1）后，將金屬樣片作為電解陽極，通電實施電解；

3）電解結束后，去除金屬樣片表面上的光刻膠絕緣屏蔽膜，得到制備于金屬樣片表面上的柵線形微米結構；

4）用籽晶輔助的化學水浴沉積法在柵線形微米結構上生長氧化鋅納米棒，獲得微納米兩級結構；

5）對微納米兩級結構表面進行氟化處理，得疏水表面。

8.一種如權利要求1所述疏水表面在滴狀冷凝傳熱中的應用。

9.根據權利要求8所述一種疏水表面在滴狀冷凝傳熱中的應用，其特征在于：所述滴狀冷凝傳熱的實際應用工況包括自然對流換熱或者氣流方向與重力方向一致的強制對流換熱。