[發明專利]一種MOS門PLC光耦驅動電路及電阻回路裝置有效
| 申請號: | 201310260257.6 | 申請日: | 2013-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN103337839A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 楊廣羽;劉敏;劉高峰;王清堅;霍鵬飛;鄒卓霖 | 申請(專利權)人: | 國家電網公司;許繼集團有限公司;許繼電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H02H9/00 | 分類號: | H02H9/00;H02H9/04 |
| 代理公司: | 鄭州睿信知識產權代理有限公司 41119 | 代理人: | 胡泳棋 |
| 地址: | 100031 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mos plc 驅動 電路 電阻 回路 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及高壓直流輸電控制保護領域,具體涉及一種MOS門PLC光耦驅動電路及電阻回路裝置。
背景技術
由于MOS門回路信號傳輸速度快等特點,在高壓直流輸電控制保護系統接口設計中,大量應用此類MOS門設計的PLC光耦端子。由于MOS門開斷過程中會引起電流的不斷變化,這些不斷變化的電流流過導線及印制板上,會產生電壓的變化。在MOS門元件的電子設計回路中,為了保證MOS元件的電壓不隨這電流發生劇烈變化,會在MOS門上增加旁路電容來濾除高頻干擾信號。
由于MOS門本身寄生電路及旁路電容的影響,在MOS門關斷過程中,有較長的放電時間;而且當PLC光耦端子的原邊激勵斷開情況下,瞬間合上MOS門電路會有短時導通的現象,容易造成后級負載的誤觸發。
發明內容
本發明的目的是提供一種MOS門PLC光耦驅動電路及電阻回路裝置,用以消除現有采用MOS電路的PLC光耦受旁路電容影響的問題。
為實現上述目的,本發明的方案是:一種MOS門PLC光耦驅動電路,該PLC光耦驅動電路包括一個配置有MOS門電路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后級負載兩端并聯有電阻回路,所述電阻回路由一個開關和一個電阻串聯組成。
所述開關為一個刀閘。
本發明還提供一種電阻回路裝置,所述電阻回路裝置由一個電阻回路組成,所述電阻回路由一個開關和一個電阻串聯組成,所述電阻的一端焊接在開關的一端,電阻和開關的另一端對應連接所述電阻回路裝置的兩個導電端,所述電阻回路裝置通過所述導電端用于安裝在MOS門PLC光耦端子的后級負載回路中。
所述電阻回路裝置卡扣安裝在MOS門PLC光耦端子的后級負載回路中。
所述開關為刀閘
本發明達到的有益效果:本發明在MOS門PLC光耦端子的后級負載回路中設置有電阻回路,當PLC光耦端子的原邊激勵消失時,首先通過接通該電阻回路,將PLC光耦中MOS門電路產生的瞬時沖擊電壓通過電阻回路放電,這樣,再合上后級負載回路的開關,就避免了PLC光耦端子原邊激勵的斷開情況下,因瞬間合上后級負載回路開關產生的沖擊電壓導致PLC光耦的短時導通現象,并且由于增加電阻回路,使得回路中電流增大,減少了旁路電容的放電時間,消除了MOS門自身寄生電路和其旁路電容的影響。
電阻直接焊接在刀閘端子中,且電阻回路采用卡扣式安裝方式,PLC光耦端子中有散熱小孔,便于電阻的安裝及散熱,且維護成本低,易于實現現場安裝和改進。
附圖說明
圖1是本發明MOS門PLC光耦驅動電路原理圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明做進一步詳細的說明。
MOS門PLC光耦驅動電路實施例:
本發明的MOS門PLC光耦回路包括一個配置有MOS門電路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后級負載兩端并聯有電阻回路,所述電阻回路由一個開關和一個電阻串聯組成。
如圖1所示,K2為PLC光耦的原邊控制開關,K1為后級負載回路控制開關,電阻回路由電阻R和開關K3串聯組成,本實施例中,后級負載為一個PLC光耦,開關K3為一個刀閘,該電阻回路并聯在后級PLC光耦兩端,電阻回路具有消除MOS門電路短時導通現象和加快MOS門電路放電時間的作用,具體實施過程如下:
1.消除MOS門電路短時導通現象
如圖1,接入電阻回路之前,在K2斷開的情況下,即在前級PLC光耦原邊激勵斷開的情況下,如果瞬間閉合開關K1,會產生教的沖擊電壓,較大的沖擊電壓會使前級光耦的MOS門電路產生一個短時的導通,導致后級PLC光耦的誤觸發。
接入電阻回路后,在K2閉合,K1斷開的情況下,即是前一級PLC光耦中MOS門電路的測試狀態,當測試結束,先合上電阻回路刀閘K3,把電阻接入到負載回路中,然后再斷開K2,由于電阻回路為MOS門電路提供電流回路,MOS門電路本身寄生電路及旁路電容的瞬時沖擊電壓經電阻回路放電,最后再合上K1開關,這樣就消除了MOS門電路的短時導通現象。
2.加快MOS門電路放電時間
如圖1,接入電阻回路之前,在K1閉合的情況下,如果直接瞬時打開K2,由于MOS門自身寄生電路及其旁路電容的影響,在MOS門關斷過程中,放電時間比較長,易引起下級回路的誤動作。
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