[發(fā)明專利]一種N型太陽能電池的制作方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310260173.2
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103311376A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郎芳;張偉;丁友誼;胡志巖;李高非;熊景峰
• 申請（專利權(quán)）人: 英利集團有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 王寶筠

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于太陽能電池制作領(lǐng)域，尤其涉及一種N型太陽能電池的制作方法。

背景技術(shù)

太陽能電池是以半導體材料為基礎(chǔ)的一種具有能量轉(zhuǎn)換功能的半導體器件，是太陽能光伏發(fā)電的最核心的器件。在現(xiàn)今的太陽能電池領(lǐng)域又以晶體硅太陽能電池的制作工藝最為成熟，晶體硅太陽能電池分為N型晶體硅太陽能電池和P型晶體硅太陽能電池，也即，常見的晶體硅太陽能電池，如單晶硅太陽能電池、多晶硅太陽能電池和非晶硅太陽能電池等都包括N型和P型。N型晶體硅太陽能電池的制作方法包括：表面制絨、背場制備、擴散制結(jié)、刻蝕絕緣、鍍減反射膜和印刷燒結(jié)，其中，背場制備工藝會在N型晶體硅太陽能電池的背表面形成一層N型重摻雜背場，以在N型晶體硅太陽能電池內(nèi)部建立一個濃度梯度，使位于太陽能電池正表面的PN結(jié)收集的載流子擴散到太陽能電池背面，形成電流。

常規(guī)的N型太陽能電池的背場是通過高溫擴散過程制備形成的，具體的，將太陽能電池片置于石英管內(nèi)部，然后在高溫條件下通入氣態(tài)源，以通過熱擴散在太陽能電池的背表面形成N型重摻雜背場。但是，通過高溫熱擴散在N型太陽能電池的背表面形成背場的方法無法實現(xiàn)單面擴散，形成的背場的質(zhì)量也較差，而且背場制備的過程還會影響太陽能電池的質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供一種太陽能電池制作方法，此種太陽能電池的制作方法可以保證N型太陽能電池具有良好的背場，而且還可以改善N型太陽能電池的質(zhì)量。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供了如下技術(shù)方案：

一種N型太陽能電池的制作方法，包括：提供N型半導體襯底；

在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極，并采用離子注入工藝在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場。

優(yōu)選的，所述N型半導體襯底為N型單晶硅襯底、N型多晶硅襯底或N型非晶硅襯底。

優(yōu)選的，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極，并采用離子注入工藝在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場的方法具體包括：在所述N型半導體襯底背表面進行離子注入；在所述N型半導體襯底正表面進行發(fā)射極擴散；進行氧化退火，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極的同時，在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場。

優(yōu)選的，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極，并采用離子注入工藝在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場的方法具體包括：在所述N型半導體襯底正表面進行發(fā)射極擴散，并清洗所述擴散后的N型半導體襯底；在所述N型半導體襯底背表面進行離子注入；進行氧化退火，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極的同時，在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場。

優(yōu)選的，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極，并采用離子注入工藝在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場的方法具體包括：在所述N型半導體襯底正表面進行發(fā)射極擴散及氧化退火，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極；在所述N型半導體襯底背表面進行離子注入及氧化退火，在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場。

優(yōu)選的，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極，并采用離子注入工藝在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場的方法具體包括：在所述N型半導體襯底背表面進行離子注入及氧化退火，在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場；在所述N型半導體襯底正表面進行發(fā)射極擴散及氧化退火，在所述N型半導體襯底正表面形成發(fā)射極。

優(yōu)選的，在所述N型半導體襯底背表面進行離子注入是采用包含磷原子的化合物分子。

優(yōu)選的，所述包含磷原子的化合物分子為磷化氫分子或其他含磷的化合物分子。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實施例具有以下優(yōu)點：

本發(fā)明采用離子注入工藝在所述N型半導體襯底背表面形成N型重摻雜背場，此種制作方法在形成N型太陽能電池背場時，可以實現(xiàn)單面擴散，同時，鑒于離子注入工藝的工藝特點，此時采用離子注入工藝在N型半導體襯底背表面進行摻雜，可以更好的控制N型重摻雜背場的結(jié)深和濃度，制備出更高質(zhì)量的背場，提高N型太陽能電池的效率。此外，由于離子注入工藝對于N半導體襯底的工藝溫度沒有要求，故可根據(jù)需要在室溫或低溫條件下進行摻雜，以避免高溫熱擴散對N型半導體襯底的損害，改善了太陽能電池的質(zhì)量。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。