[發(fā)明專(zhuān)利]一種低電壓二極管及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310259959.2
• 申請(qǐng)日: 2013-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103383917B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周源
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京燕東微電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/329
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/329;H01L29/861
• 代理公司: 北京正理專(zhuān)利代理有限公司11257
• 代理人: 張雪梅

1.一種二極管的制造方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

在第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延層上形成具有開(kāi)口的絕緣層；

以所述絕緣層作為掩膜，在所述外延層中形成第二導(dǎo)電類(lèi)型的高濃度摻雜區(qū)以與所述外延層形成PN結(jié)，所述第二導(dǎo)電類(lèi)型與所述第一導(dǎo)電類(lèi)型相反；

在所得到結(jié)構(gòu)的表面上淀積夾層保護(hù)層；

在所述夾層保護(hù)層上淀積金屬層；

刻蝕所述金屬層得到所述二極管的一電極層；

選擇具有高選擇比的刻蝕劑，以所述電極層作為掩膜對(duì)所述夾層保護(hù)層進(jìn)行選擇性刻蝕，以使刻蝕得到的所述夾層保護(hù)層具有與所述電極層相同的外邊界。

2.如權(quán)利要求1所述的二極管的制造方法，其特征在于；在所得到的結(jié)構(gòu)的所述電極層的對(duì)側(cè)上形成對(duì)向電極層。

3.如權(quán)利要求1所述的二極管的制造方法，其特征在于，在以電極層作為掩膜對(duì)夾層保護(hù)層進(jìn)行選擇性刻蝕的步驟后，該方法進(jìn)一步包括，對(duì)所得到的結(jié)構(gòu)進(jìn)行合金化處理，以形成歐姆接觸。

4.如權(quán)利要求1所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述淀積夾層保護(hù)層的步驟為通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射淀積阻擋金屬層的步驟。

5.如權(quán)利要求4所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述金屬層為鋁層，所述夾層保護(hù)層為鎳鉻阻擋金屬層。

6.如權(quán)利要求5所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述選擇性刻蝕的刻蝕劑為濃硝酸和硝酸鈰氨的混合溶液。

7.如權(quán)利要求1所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述淀積夾層保護(hù)層的步驟進(jìn)一步包括

通過(guò)低壓化學(xué)氣相淀積淀積多晶硅層；

通過(guò)離子注入或擴(kuò)散在所述多晶硅層中摻雜第二導(dǎo)電類(lèi)型的雜質(zhì)。

8.如權(quán)利要求7所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述選擇性刻蝕的刻蝕劑為SF₆和He的混合氣體。

9.如權(quán)利要求1所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述對(duì)夾層保護(hù)層進(jìn)行選擇性刻蝕的步驟進(jìn)一步包括控制刻蝕終點(diǎn)以防止對(duì)得到的結(jié)構(gòu)過(guò)刻蝕。

10.如權(quán)利要求1所述的二極管的制造方法，其特征在于，所述形成具有開(kāi)口的絕緣層的步驟進(jìn)一步包括在絕緣層上形成刻蝕阻擋層的步驟。

11.一種二極管，依次包括

第一電極層；

第一電極層上的硅襯底；

硅襯底上第一導(dǎo)電類(lèi)型的外延層；

所述外延層中與第一導(dǎo)電類(lèi)型相反的第二導(dǎo)電類(lèi)型的高濃度摻雜區(qū)；

所述外延層上具有暴露所述摻雜區(qū)的開(kāi)口的絕緣層；

位于所述摻雜區(qū)和部分絕緣層上的夾層保護(hù)層；

位于所述夾層保護(hù)層上的第二電極層，

其特征在于，

所述夾層保護(hù)層和所述第二電極層具有完全相同的外邊界。

12.如權(quán)利要求11所述的二極管，其特征在于，

所述第二電極層由選自鋁、銀、鈦銀、鈦鎳銀、鈦鎳金、鋁鈦鎳金的材料制成。

13.如權(quán)利要求11所述的二極管，其特征在于，

所述夾層保護(hù)層由選自鉻、鈦鎢、鎳鉻合金或多晶硅的材料制成。

14.如權(quán)利要求11所述的二極管，其特征在于，

所述第二電極層為鋁層，所述夾層保護(hù)層為鎳鉻層或第二導(dǎo)電類(lèi)型的摻雜多晶硅層。