[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310259867.4
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN104253226A
• 公開（公告）日: 2014-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;黃輝;張振華;王平
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUMO），而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道（HOMO）。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。然而，目前有機電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較低。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的有機電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層、第一電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層、第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層和陰極，所述電荷產(chǎn)生層包括n型層，中間層及p型層，所述n型層材料為金屬氧化物，中間層材料為金屬及摻雜在所述金屬中的鐵鹽，p型層為雙極性金屬氧化物，所述金屬氧化物選自二氧化鈦、氧化鋅、二氧化鉿或氧化鋯中至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉑或金中至少一種，所述鐵鹽選自氯化鐵、溴化鐵或硫化鐵中至少一種，所述雙極性金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩中至少一種，其中，所述鐵鹽與所述金屬的質(zhì)量比為1:10～1:2。

在優(yōu)選的實施例中，所述n型層的厚度為10nm～100nm，所述中間層厚度為5nm～20nm，所述p型層的厚度為5nm～30nm。

在優(yōu)選的實施例中，所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

在優(yōu)選的實施例中，所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中的至少一種。

在優(yōu)選的實施例中，所述第一電子傳輸層及所述第二電子傳輸層的材料選自4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。

一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面依次蒸鍍制備空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層；

在所述第一電子傳輸層表面制備電荷產(chǎn)生層，所述電荷產(chǎn)生層包括n型層，中間層及p型層，中間層和p型層采用蒸鍍方式制備，n型層采用電子束方式蒸鍍制備，所述n型層材料為金屬氧化物，中間層材料為金屬及摻雜在所述金屬中的鐵鹽，p型層為雙極性金屬氧化物，其中，所述金屬氧化物選自二氧化鈦、氧化鋅、二氧化鉿或氧化鋯中至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鉑或金中至少一種，所述鐵鹽選自氯化鐵、溴化鐵或硫化鐵中至少一種，所述雙極性金屬氧化物選自三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩中至少一種，其中，所述鐵鹽與所述金屬的質(zhì)量比為1:10～1:2，蒸鍍在真空壓力為2×10^-3～5×10^-5Pa下進行，有機材料的蒸鍍速率為0.1～1nm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為1～10nm/s，電子束蒸鍍的能量密度為10-l00W/cm²；及

在優(yōu)選的實施例中，在所述電荷產(chǎn)生層表面依次蒸鍍形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層、電子注入層及陰極。

在優(yōu)選的實施例中，所述第一發(fā)光層及所述第二發(fā)光層的材料選自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4'-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。

在優(yōu)選的實施例中，所述第一空穴傳輸層及所述第二空穴傳輸層的材料選自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺中的至少一種。

在優(yōu)選的實施例中，所述n型層的厚度為10nm～100nm，所述中間層厚度為5nm～20nm，所述p型層的厚度為5nm～30nm。