[發明專利]一種電壓型超級電容檢測電路

有效

• 申請號: 201310259545.X
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103336204A
• 公開（公告）日: 2013-10-02
• 發明（設計）人: 王僑舉;顧德明;趙恩海;甄雪靈;杜洋
• 申請（專利權）人: 天津市三源電力設備制造有限公司
• 主分類號: G01R31/00
• 分類號: G01R31/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電壓型超級電容檢測電路，其特征是：超級電容器由m(m為任意自然數)個超級電容器組并聯組成，每個超級電容器組由2n(n為任意自然數)個單體超級電容串聯組成，電阻R01、R02、R03、R04和NMOS開關管T0組成一個可控分壓電路并聯在超級電容器兩端，每個超級電容器組在中點與地之間并聯一個由電阻和開關管組成的可控分壓電路，第一個超級電容器組由單體超級電容C11……C1n、C1(n+1)……C1(2n)串聯組成，電阻R11、R12、R13、R14和NMOS開關管T1組成的可控分壓電路并聯在單體超級電容C1n和C1(n+1)的連接處和地之間，以此類推，第m個超級電容器組由單體超級電容Cm1……Cmn、Cm(n+1)……Cm(2n)串聯組成，電阻Rm1、Rm2、Rm3、Rm4和NMOS開關管Tm組成的可控分壓電路并聯在單體超級電容C1n和C1(n+1)的連接處和地之間。

2.根據權利要求1所述的電壓型超級電容檢測電路，其特征是：電阻R01一端接地，另一端連接電阻R02，電阻R02的另一端連接NMOS開關管T0的源極，NMOS開關管T0的漏極連接電阻R03，電阻R03的另一端連接電阻R04，電阻R04的另一端連接超級電容器的正極，即單體超級電容C1(2n)……Cm(2n)，NMOS開關管T0的柵極是控制端Ct0，電阻R01和R02的連接處是測量端S0。

3.根據權利要求1所述的電壓型超級電容檢測電路，其特征是：電阻R11一端接地，另一端連接電阻R12，電阻R12的另一端連接NMOS開關管T1的源極，NMOS開關管T1的漏極連接電阻R13，電阻R13的另一端連接電阻R14，電阻R14的另一端連接C1n和C1(n+1)的連接處，NMOS開關管T1的柵極是控制端Ct1，電阻R11和R12的連接處是測量端S1。

4.根據權利要求1所述的電壓型超級電容檢測電路，其特征是：電阻Rm1一端接地，另一端連接電阻Rm2，電阻Rm2的另一端連接NMOS開關管Tm的源極，NMOS開關管Tm的漏極連接電阻Rm3，電阻Rm3的另一端連接電阻Rm4，電阻Rm4的另一端連接Cmn和Cm(n+1)的連接處，NMOS開關管Tm的柵極是控制端Ctm，電阻Rm1和Rm2的連接處是測量端Sm。