[發明專利]一種納米級碳化硅銅基合金材料制備方法

有效

• 申請號: 201310259334.6
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103305742A
• 公開（公告）日: 2013-09-18
• 發明（設計）人: 孫飛;趙勇
• 申請（專利權）人: 蘇州金倉合金新材料有限公司
• 主分類號: C22C32/00
• 分類號: C22C32/00;C22C9/00;C22C1/02;C22C1/10
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 賀小明

1.一種納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)按照國標GB/T1176-1987的標準及銅合金材料QAL9-4的化學成分要求將電解銅，鋁錠及鐵錠按照重量比例放入電爐中熔煉，熔煉期間根據熔爐的體積大小控制銅合金液體積在熔爐體積的90％以下；熔煉溫度為1300-1380℃；時間為3-3.5小時；

2)對所述銅合金液進行成分檢測；

3)將占總體積5-10％的納米級碳化硅粉體放入檢驗合格的所述銅合金液的表面，開啟工頻電爐的震動裝置并用石墨棒進行攪拌，使其均勻混合，形成納米級碳化硅銅基合金液；

4)保溫與鑄造，將所述納米級碳化硅銅基合金液保溫20-30分鐘，保溫溫度為1600-1650℃，然后將所述納米級碳化硅銅基合金鑄造成合金棒材，鑄造溫度為1000-1100℃；

5)將所述合金棒材進行表面車加工處理，并按照出廠標準包裝。

2.如權利要求3所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，所述的納米級碳化硅粉體的納米級碳化硅的粒徑為10μm～30μm。

3.如權利要求3所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中控制銅合金液體積為熔爐體積的82％，所述步驟3)中加入的納米級碳化硅粉體占總體積10％。

4.如權利要求3所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中控制銅合金液體積為熔爐體積的82％，所述步驟3)中加入的納米級碳化硅粉體占總體積8％。

5.如權利要求3所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中控制銅合金液體積為熔爐體積的85％，所述步驟3)中加入的納米級碳化硅粉體占總體積5％。

6.如權利要求1所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中控制銅合金液體積為熔爐體積的80％，所述步驟3)中加入的納米級碳化硅粉體占總體積10％。

7.如權利要求1所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中控制銅合金液體積為熔爐體積的80％，所述步驟3)中加入的納米級碳化硅粉體占總體積5％。

8.如權利要求1所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，步驟2)采用斯派克直讀光譜儀檢測所述銅合金液成分。

9.如權利要求1所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法，其特征在于，步驟4)中鑄造合金棒材的方式為連續鑄造。

10.一種根據權利要求1-9任意一項所述的納米級碳化硅銅基合金材料的制備方法制備的納米級碳化硅銅基合金材料，其特征在于，由以下組分組成：占總體積5-10％的納米級碳化硅和占總體積90-95％的銅合金材料ZQAL9-4。