[發明專利]一種納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法

有效

• 申請號: 201310259269.7
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103320631A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 陸海榮;孫飛;趙勇
• 申請（專利權）人: 蘇州天兼金屬新材料有限公司
• 主分類號: C22C1/02
• 分類號: C22C1/02;C22C23/02
• 代理公司: 北京連和連知識產權代理有限公司 11278
• 代理人: 賀小明

1.一種納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)配料：按照重量比例稱取占總重量1-1.5％的納米級碳化硅，占總重量10-11.5％的鋁錠，占總重量1.2-1.8％的鋅錠，占總重量0.05-0.25％的錳錠以及占總重量84.95-87.75％的鎂錠；

2)熔煉：坩堝分梯度置于工頻電爐當中，緩慢調整電壓并預熱坩堝表面的清除雜質，預熱溫度為500℃；將所述鎂錠置于坩堝內進行慢慢加溫使鎂錠緩慢融化，熔煉時間為1.5-2小時，溫度為700℃；待所述鎂錠完全融化后充入惰性氣體，并升溫至760℃后加入所述鋁錠、鋅錠和錳錠，開啟振動裝置15-20分鐘，形成充分融合的合金液；

3)添加納米級碳化硅：將納米級碳化硅添加到所述合金液表面，并使用石墨棒進行攪拌，以形成均一的碳化硅鎂合金液靜止5-10分鐘；

4)成分檢驗：確定所述碳化硅鎂合金液的化學成分；

5)壓鑄：打開與工頻電爐一體的合金液輸送泵，將成分檢驗合格的所述碳化硅鎂合金液輸送到壓鑄機內，進行壓鑄生產；

6)加工：壓鑄完成的鑄件進行表面加工處理，并按照出廠標準包裝。

2.如權利要求1所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟1)進一步包括粉末化處理鋁錠和鋅錠。

3.如權利要求2所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟1)進一步包括粉末化處理錳錠。

4.如權利要求1所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述坩堝的容量為50公斤，所述工頻電爐容量為長1500mm×寬1500mm×高1000mm。

5.如權利要求1所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟2)中所述惰性氣體為氮氣。

6.如權利要求1所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟3)中所述納米級碳化硅粒徑為100nm～800nm。

7.如權利要求1所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟4)所述成分檢驗方法為采用圓柱形取樣容器，取出直徑15mm長度50mm的3-5份樣品，進行光譜分析。

8.如權利要求1所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法，其特征在于，步驟5)所述壓鑄機為熱室壓鑄機。

9.一種根據權利要求1-8所述的納米級碳化硅鎂合金材料的制備方法制備的納米級碳化硅鎂合金材料，其特征在于，由以下組分組成：納米級碳化硅占總重量的1-1.5％，鋁占總重量的10-11.5％，鋅占總重量的1.2-1.8％，錳占總重量的0.05-0.25％，不可避免的雜質總和占總重量的≤0.2％，余量為鎂。