[發明專利]用于化學氣相沉積的晶圓傳輸裝置在審
| 申請號： | 201310258962.2 | 申請日： | 2013-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN104253075A | 公開（公告）日： | 2014-12-31 |
| 發明（設計）人： | 羅杰;高峰;張小龍 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/677 | 分類號： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 化學 沉積 傳輸 裝置 | ||
1.用于化學氣相沉積的晶圓傳輸裝置，設置在化學氣相沉積設備的反應腔內，所述化學氣相沉積設備包含驅動系統，該驅動系統包含電機及與電機連接的驅動軸（10）；其特征在于，所述晶圓傳輸裝置包含：
陶瓷底盤（1），所述陶瓷底盤（1）的中心與化學氣相沉積設備的驅動軸（10）連接；?
設置在陶瓷底盤（1）上表面的多個固定片（2），各所述固定片（2）材料為陶瓷，各所述固定片（2）分別通過螺絲（4）與陶瓷底盤（1）連接；
設置在陶瓷底盤（1）與各所述固定片（2）之間的多組傳輸手（3），各所述傳輸手（3）沿著陶瓷底盤（1）的徑向設置。
2.如權利要求1所述的用于化學氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述傳輸手（3）的數量與固定片（2）數量相等，各組所述傳輸手（3）位置與各固定片（2）位置對應。
3.如權利要求1所述的用于化學氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，每組所述傳輸手（3）包含平行間隔設置的多個陶瓷手指（31）。
4.如權利要求3所述的用于化學氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述陶瓷底盤（1）上表面設有多個凹槽（11），各所述凹槽（11）間隔設置在陶瓷底盤（1）的邊緣；各所述陶瓷手指（31）一端設置在陶瓷底盤（1）上表面的凹槽（11）內，其另一端伸出陶瓷底盤（1）外。
5.權利要求1所述的用于化學氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述固定片（2）為扇環形。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
