[發明專利]全透明導熱導電復合基板的制備方法

無效

• 申請號: 201310258609.4
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103346248A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: 陳益鋼;朱濤;張斌;陳銀兒;劉震
• 申請（專利權）人: 上海大學
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/64;C23C14/06;C23C14/35
• 代理公司: 上海上大專利事務所(普通合伙) 31205
• 代理人: 陸聰明

1.一種全透明導熱導電復合基板的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1）玻璃襯底的清洗：按照去離子水、乙醇、丙酮、乙醇、去離子水的順序，對玻璃襯底進行超聲清洗，作為基板；

2）將基板安裝到濺射腔內，通過抽真空，使濺射腔的本底真空度小于1.0×10^-3Pa；

3）通過反應磁控濺射的方法在襯底上沉積氮化鋁薄膜；

4）通過射頻磁控濺射的方法在氮化鋁薄膜上沉積TCO薄膜；?

5）通過光刻和刻蝕工藝對TCO薄膜進行圖形化加工，形成電路的引線；制得全透明導熱導電復合基板。

2.根據權利要求1所述的全透明導熱導電復合基板的制備方法，其特征在于，所述步驟2）中的通過反應磁控濺射的方法在襯底上沉積氮化鋁薄膜，工藝條件為：反應氣體為氮氣，保護氣體為氬氣，調整氣體流量，使氮氣和氬氣的分壓比為10^-2數量級，總壓力為0.2-1.5?Pa，濺射功率為100-500W，基板溫度為室溫-300℃，濺射時間為10-180分鐘。

3.根據權利要求1所述的全透明導熱導電復合基板的制備方法，其特征在于，所述步驟3）中的通過射頻磁控濺射的方法在氮化鋁薄膜上沉積TCO薄膜，工藝條件為：調整氣體流量，使氧氣和氬氣的分壓比為10^-1數量級，總壓力為0.2-1.5?Pa，濺射功率為100-500W，基板溫度為室溫-300℃，濺射時間為10-60分鐘。