[發明專利]氧化鋅基濺射靶及其制造方法和薄膜晶體管

無效

• 申請號: 201310258587.1
• 申請日: 2013-06-26
• 公開（公告）號: CN103510056A
• 公開（公告）日: 2014-01-15
• 發明（設計）人: 樸在佑;金東朝;金度賢;全祐奭;樸柱玉;孫仁成;尹相元;李建孝;李镕晉;李倫圭
• 申請（專利權）人: 三星康寧精密素材株式會社;三星顯示有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08;H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;王占杰

1.一種氧化鋅基濺射靶，所述氧化鋅基濺射靶包括：

燒結物，包括摻雜有氧化鎵的氧化鋅，氧化鎵的含量范圍為燒結物的10重量%到50重量%；

背板，結合到燒結物的后表面，以支撐燒結物。

2.如權利要求1所述的氧化鋅基濺射靶，其中，濺射靶的電阻率為100Ω·㎝或更低。

3.如權利要求2所述的氧化鋅基濺射靶，濺射靶能夠用于直流濺射。

4.如權利要求3所述的氧化鋅基濺射靶，其中，在直流濺射期間應用的功率密度的范圍為0.1W/cm²到8W/cm²。

5.如權利要求1所述的氧化鋅基濺射靶，其中，濺射靶的密度為5.3g/cm³或更高。

6.如權利要求1所述的氧化鋅基濺射靶，其中，氧化鎵的粒料以1μm或更小的尺寸分布在燒結體內部。

7.如權利要求1所述的氧化鋅基濺射靶，其中，燒結體包括從第III族元素和第IV族元素中選擇的至少一種。

8.一種制造包括電極和氧化物半導體層的薄膜晶體管的方法，所述方法包括使用如權利要求1所述的氧化鋅基濺射靶在電極和氧化物半導體層之間沉積阻擋層的步驟。

9.如權利要求8所述的方法，其中，阻擋層具有到的晶體尺寸范圍。

10.如權利要求8所述的方法，其中，阻擋層沉積的厚度范圍為30nm到50nm。

11.如權利要求10所述的方法，其中，阻擋層的電阻率范圍為100Ω·cm到1×10^-4Ω·cm。

12.如權利要求8所述的方法，其中，電極包括Cu。

13.一種制造氧化鋅基濺射靶的方法，所述方法包括下述步驟：

通過將氧化鎵添加到氧化鋅中來制備漿料，氧化鎵的含量范圍為漿料的10重量%到50重量%；

通過將漿料干燥來形成粒狀粉末；

將粒狀粉末成型為壓坯；

將壓坯燒結為燒結物。

14.如權利要求13所述的方法，其中，制備漿料的步驟包括：

將氧化鎵與蒸餾水和第一分散劑的混合溶液進行混合隨后進行濕磨的第一分散步驟；

通過將由第一分散步驟產生的懸浮液與第二分散劑和氧化鋅混合形成漿料隨后進行濕磨的第二分散步驟。

15.如權利要求14所述的方法，其中，第一分散步驟包括執行濕磨，使得氧化鎵的平均粒徑的范圍為0.2μm到0.6μm。

16.如權利要求14所述的方法，其中，第一分散步驟包括以范圍為氧化鎵的0.1重量%到2重量%的含量添加第一分散劑。

17.如權利要求14所述的方法，其中，第二分散步驟包括以范圍為氧化鋅的0.3重量%到2.5重量%的含量添加第二分散劑。

18.如權利要求14所述的方法，其中，控制第二分散步驟，使得漿料的平均粒徑的范圍為0.1μm到0.5μm。

19.如權利要求14所述的方法，其中，制備漿料的步驟還包括將粘結劑添加到漿料中。

20.如權利要求13所述的方法，其中，燒結壓坯的步驟包括在空氣或氧氣氣氛下在1400℃到1600℃的溫度范圍下燒結壓坯。

21.一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括電極、阻擋層和氧化物半導體層，其中，阻擋層設置在電極和氧化物半導體層之間，并且包括摻雜有氧化鎵的氧化鋅，氧化鎵的含量范圍為阻擋層的5重量%到40重量%。