[發明專利]一種冗余結構靜態隨機存儲單元有效
| 申請號： | 201310258585.2 | 申請日： | 2013-06-26 |
| 公開（公告）號： | CN103337252A | 公開（公告）日： | 2013-10-02 |
| 發明（設計）人： | 潘立陽;劉雪梅;伍冬;陳虹;麥宋平 | 申請（專利權）人： | 清華大學;清華大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | G11C11/413 | 分類號： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 張大威 |
| 地址： | 100084 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 冗余 結構 靜態 隨機 存儲 單元 | ||
1.一種冗余結構靜態隨機存儲單元，其特征在于，包括：
第一門管NG1a、第二門管NG1b、第三門管NG2a、第四門管NG2b、第一下拉管N1a、第二下拉管N1b、第三下拉管N2a、第四下拉管N2b、第一上拉管P1a、第二上拉管P1b、第三上拉管P2a、第四上拉管P2b、第一負載管ND1a、第二負載管ND1b、第三負載管ND2a以及第四負載管ND2b，其中：
第一門管NG1a、第二門管NG1b柵極受字線WL控制，漏極與位線BL相連，第一門管NG1a源極與第一下拉管N1a漏極相連，第二門管NG1b源極與第二下拉管N1b漏極相連；
第三門管NG2a、第四門管NG2b柵極受字線WL控制，漏極與互補位線BLn相連，第三門管NG2a管源極與第三下拉管N2a漏極相連，第四門管NG2b管源極與第四下拉管N2b漏極相連；
第一下拉管N1a、第二下拉管N1b柵極分別與第一上拉管P1a、第二上拉管P1b柵極相連，第一下拉管N1a漏極與第三下拉管N2a柵極相連，第二下拉管N1b漏極與第四下拉管N2b柵極相連，源極與動態電壓VSSI相連；
第三下拉管N2a、第四下拉管N2b柵極分別與第三上拉管P2a、第四上拉管P2b柵極相連，第三下拉管N2a漏極與第一下拉管N1a柵極相連，第四下拉管N2b漏極與第二下拉管N1b柵極相連，源極與動態電壓VSSI相連；
第一上拉管P1a、第二上拉管P1b柵極分別與下第一下拉管N1a、第二下拉管N1b柵極相連，第一上拉管P1a漏極與第一負載管ND1a漏極相連，第二上拉管P1b漏極與負載管第二負載管ND1b漏極相連，源極受動態電壓VDDI控制；
第三上拉管P2a、第四上拉管P2b柵極分別與第三下拉管N2a、第四下拉管N2b柵極相連，第三上拉管P2a漏極與第三負載管ND2a漏極相連，第四上拉管P2b漏極與第四負載管ND2b漏極相連，源極受動態電壓VDDI控制；
第一負載管ND1a柵極與第二門管NG1b源極相連，源極與第一下拉管N1a漏極、第三下拉管N2a柵極相連，漏極與第一上拉管P1a漏極相連；
第二負載管ND1b柵極與第一門管NG1a源極相連，源極與第二下拉管N1b漏極、第四下拉管N2b柵極相連，漏極與第二上拉管P1b漏極相連；
第三負載管ND2a柵極與第四門管NG2b源極相連，源極與第三下拉管N2a漏極、第一下拉管N1a柵極相連，漏極與第三上拉管P2a漏極相連；
第四負載管ND2b柵極與第三門管NG2a源極相連，源極與第四下拉管N2b漏極、第二下拉管N1b柵極相連，漏極與第四上拉管P2b漏極相連。
2.如權利要求1所述的冗余結構靜態隨機存儲單元，其特征在于，所述第一負載管ND1a、第二負載管ND1b、第三負載管ND2a以及第四負載管ND2b是采用標準邏輯工藝中零閾值管實現的。
3.如權利要求1所述的冗余結構靜態隨機存儲單元，其特征在于，所述第一負載管ND1a、第二負載管ND1b、第三負載管ND2a以及第四負載管ND2b是在NMOS管基礎上增加PMOS調開啟注入實現的。
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