[發明專利]半導體發光器件

有效

• 申請號: 201310258481.1
• 申請日: 2009-04-08
• 公開（公告）號: CN103400917A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發明（設計）人: 丁煥熙
• 申請（專利權）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/42
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

本發明是2009年4月8日提交的發明名稱為“半導體發光器件”的中國專利申請200980113901.9的分案申請。

技術領域

本發明涉及一種半導體發光器件。

背景技術

III-V族半導體已經被廣泛地應用于諸如藍色和綠色發光二極管(LED)的光學器件、諸如金屬半導體場效應晶體管(MOSFET)和異質結場效應晶體管(HEMT)的高速開關器件、以及照明裝置或者顯示裝置的光源。

氮化物半導體主要被用于LED或者激光二極管(LD)，并且已經繼續地進行研究以提高氮化物半導體的光效率或者制造處理。

發明內容

實施例提供一種半導體發光器件，包括透射導電層，該透射導電層位于化合物半導體層和第二電極層之間的外部部分處。

實施例提供一種半導體發光器件，包括位于化合物半導體層和第二電極層之間的內部部分處的歐姆接觸層。

實施例提供一種半導體發光器件，包括歐姆接觸層，該歐姆接觸層在化合物半導體層和第二電極層之間具有多個圖案。

實施例提供一種半導體發光器件，包括：第一導電半導體層；第一導電半導體層下面的有源層；有源層下面的第二導電半導體層；第二導電半導體層下面的第二電極層；以及在第二導電半導體層和第二電極層之間的至少一部分處的透射導電層。

實施例提供一種發光器件，包括：發光結構，該發光結構包括第一導電半導體層、有源層以及第二導電半導體層；第二導電半導體層下面的第二電極層；以及第二電極層上的外部部分處的透射導電層。

附圖說明

圖1是示出根據實施例的半導體發光器件的側截面圖；和

圖2至圖9是示出根據實施例的制造半導體發光器件的方法的視圖。

具體實施方式

下文中，將參考附圖描述根據實施例的半導體發光器件。在實施例的描述中，將參考附圖描述術語每一層的“上”或“下”，并且每一層的厚度不被限制為附圖中所示的厚度。在實施例的描述中，將會理解的是，當層(或者膜)、區域、圖案、或結構被稱為在另一襯底、另一層(或者膜)、另一區域、另一襯墊或者另一圖案“上”或“下”時，襯底“上”時，它能夠“直接地”或“間接地”在其它襯底、層(或者膜)、區域、襯墊或者圖案上，或者也可以存在一個或者更多的中間層。

圖1是示出根據實施例的半導體發光器件的側截面圖。

參考圖1，半導體發光器件100包括第一導電半導體層110、有源層120、至少一個第二導電半導體層130、透射導電層151、歐姆接觸層153、第二電極層155、導電支撐構件160以及第一電極170。

半導體發光器件100包括使用III-V族化合物半導體的發光二極管(LED)芯片。LED芯片可以包括發射藍光、綠光或者紅光的有色LED，或者UV(紫外線)LED。在實施例的范圍內能夠不同地實現LED芯片的發光。

第一導電半導體層110可以包括從是被摻雜有第一導電摻雜劑的III-V族元素的化合物半導體的GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs以及GaAsP組成的組中選擇的一個。

當第一導電半導體層110是N型半導體層時，第一導電摻雜劑包括諸如Si、Ge、Sn、Se或者Te這樣的N型摻雜劑。第一導電半導體層110可以用作電極接觸層，并且可以具有單層或者多層。實施例不限于此。

第一電極170被形成在第一導電半導體層110上以接收第一極性的電源。第一導電半導體層110可以被設置有具有預定形狀的粗糙表面。在實施例的范圍內粗糙表面能夠被添加或者被修改。

有源層120被形成在第一導電半導體層110的下面并且可以具有單量子阱結構或者多量子阱結構。有源層120可以通過使用III-V族元素的化合物半導體材料而具有阱層和阻擋層的布置。例如，有源層120可以具有InGaN阱層和GaN阻擋層的布置或者AlGaN阱層或者GaN阻擋層的布置。

有源層120包括具有根據被發射光的波長的帶隙能的材料。有源層120可以包括發射諸如具有藍色波長的光、具有紅色波長的光、以及具有綠色波長的光這樣的有色光的材料。實施例不限于此。導電包覆層可以被形成在有源層120上和/或下并且可以包括AlGaN層。