[發(fā)明專利]具有氧化物半導(dǎo)體薄膜層的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310258151.2
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103400751A
• 公開（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 江端一晃;笘井重和;霍間勇輝;松崎滋夫;矢野公規(guī)
• 申請（專利權(quán)）人: 出光興產(chǎn)株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/363;H01L21/336;H01L29/786;C23C14/10
• 代理公司: 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 蔣亭

1.一種層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，是包含成為薄膜晶體管的溝道層的氧化物層和絕緣層的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，所述層疊結(jié)構(gòu)的制造方法具有如下工序：

(1)設(shè)置絕緣層的工序；

(2)在所述絕緣層上，按照在20×20μm²中的Rrms即的范圍的方式成膜氧化物薄膜的工序，所述氧化物薄膜由選自氧化銦、摻雜有Ga的氧化銦、摻雜有Al的氧化銦、摻雜有Zn的氧化銦、以及摻雜有Sn的氧化銦的材料構(gòu)成；以及

(3)在150～500℃下對所得的薄膜進(jìn)行加熱處理而制成所述氧化物層的工序，

其中，利用如下所述的濺射方法進(jìn)行所述工序(2)的氧化物薄膜的成膜，

所述濺射方法如下所述：

將基板依次搬送至與隔開規(guī)定間隔并排設(shè)置在真空腔內(nèi)的3個(gè)以上的靶材相對向的位置，在對所述各靶材由交流電源交替施加負(fù)電位及正電位的情況下，在分支連接了來自所述交流電源的輸出的至少1個(gè)的2個(gè)以上的靶材之間，邊進(jìn)行施加電位的靶材的切換，邊在靶材上產(chǎn)生等離子而在基板表面進(jìn)行成膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在含有稀有氣體原子、和選自水分子、氧分子以及一氧化二氮分子中的一個(gè)以上的分子的混合氣體的氣氛下進(jìn)行所述氧化物薄膜的成膜。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在含有稀有氣體原子和至少水分子的混合氣體的氣氛下進(jìn)行所述氧化物薄膜的成膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述氣氛中所含的水分子的比例以分壓比計(jì)為0.1％～25％。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述摻雜有Ga的氧化銦的原子比Ga/(Ga+In)為0.01～0.09。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述摻雜有Al的氧化銦的原子比Al/(Al+In)為0.01～0.05。

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，使所述交流電源的交流功率密度為3W/cm²以上且20W/cm²以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的層疊結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述交流電源的頻率為10kHz～1MHz。