[發(fā)明專(zhuān)利]電平轉(zhuǎn)換電路及其操作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310257799.8
• 申請(qǐng)日: 2013-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104124954B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-04-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅賢君
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院
• 主分類(lèi)號(hào): H03K19/0175
• 分類(lèi)號(hào): H03K19/0175
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種電平轉(zhuǎn)換器，將第一電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換為第二電壓信號(hào)，包括：

比較電路，用所述第一電壓信號(hào)和反相的所述第一電壓信號(hào)，產(chǎn)生第一信號(hào)；

延遲電路，用所述第一電壓信號(hào)產(chǎn)生第二信號(hào)；以及

選擇電路，電性連接至所述比較電路及所述延遲電路，接收所述第一信號(hào)及所述第二信號(hào)，并選擇所述第一信號(hào)及所述第二信號(hào)中電壓較高的一個(gè)，產(chǎn)生所述第二電壓信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中所述延遲電路包括導(dǎo)線及反相器，所述反相器用來(lái)產(chǎn)生所述反相的第一電壓信號(hào)。

3.如權(quán)利要求2所述的電平轉(zhuǎn)換器，所述導(dǎo)線及所述反相器，或與另外奇數(shù)個(gè)反相器串聯(lián)，形成偶數(shù)個(gè)串聯(lián)的反相器的所述延遲電路，或與電阻器、電感器、電容器串聯(lián)形成所述延遲電路。

4.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器，所述比較電路包括電流鏡電路及電流比較電路。

5.如權(quán)利要求4所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中：

所述電流鏡電路包含第一晶體管、第二晶體管、第三晶體管及第四晶體管，所述第一晶體管及所述第三晶體管串接，所述第二晶體管及所述第四晶體管串接，且所述第一晶體管的柵極與所述第二晶體管的柵極相接，所述第三晶體管的柵極及所述第四晶體管的柵極相接；

所述電流比較電路包括第五晶體管及第六晶體管，所述第五晶體管連接于所述第一晶體管，且所述第六晶體管連接于所述第二晶體管，其中所述第一晶體管、所述第二晶體管、所述第三晶體管及所述第四晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，所述第五晶體管及第六晶體管系為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管。

6.如權(quán)利要求5所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中：

所述第一晶體管的柵極及所述第二晶體管的柵極共同連接至所述第一晶體管的漏極；

所述第三晶體管的柵極及所述第四晶體管的柵極共同連接至所述第四晶體管的漏極；

所述第一晶體管的源極與所述第三晶體管的漏極連接，所述第二晶體管的源極與所述第四晶體管的漏極連接，所述第三晶體管的源極與所述第四晶體管的源極共同連接至第二高位電壓信號(hào)，所述第二晶體管的漏極輸出第一信號(hào)至所述選擇電路；

所述第五晶體管的柵極連接于所述第一電壓信號(hào)，所述第五晶體管的源極接于接地端；

所述第五晶體管的漏極連接到所述第一晶體管的漏極；

所述第六晶體管的柵極連接到所述反相的第一電壓信號(hào)且所述第六晶體管的源極連接于所述接地端；以及

所述第六晶體管的漏極連接到所述第二晶體管的漏極。

7.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中所述選擇電路包括NOR邏輯電路架構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中所述第一信號(hào)及所述二信號(hào)經(jīng)由所述NOR邏輯電路輸出所述第二電壓信號(hào)；或所述第一信號(hào)及所述二信號(hào)經(jīng)由所述NOR邏輯電路架構(gòu)選擇輸出至反相器，再由所述反相器輸出所述第二電壓信號(hào)。

9.如權(quán)利要求7所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中所述選擇電路包含第七晶體管、第八晶體管、第九晶體管及第十晶體管，所述第一信號(hào)連接所述第七晶體管的柵極及所述第十晶體管的柵極，所述第二信號(hào)連接所述第八晶體管的柵極及所述第九晶體管的柵極。

10.如權(quán)利要求1所述的電平轉(zhuǎn)換器，其中所述比較電路包含第十一晶體管、第十二晶體管、第十三晶體管、第十四晶體管、第十五晶體管及第十六晶體管，其中所述第十一晶體管、所述第十二晶體管、所述第十三晶體管及所述第十四晶體管均為N型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，所述第十五晶體管及所述第十六晶體管為P型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，所述第十一晶體管及所述第十三晶體管串接，所述第十二晶體管及所述第十四晶體管串接，且所述第十一晶體管的柵極與所述第十二晶體管的柵極相接，所述第十三晶體管的柵極及所述第十四晶體管的柵極相接。