[發明專利]一種發送部分射頻接收前端電路無效
| 申請號: | 201310257348.4 | 申請日: | 2013-06-26 |
| 公開(公告)號: | CN103346809A | 公開(公告)日: | 2013-10-09 |
| 發明(設計)人: | 黃蘭 | 申請(專利權)人: | 成都網動光電子技術股份有限公司 |
| 主分類號: | H04B1/04 | 分類號: | H04B1/04 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 謝敏 |
| 地址: | 610000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 發送 部分 射頻 接收 前端 電路 | ||
技術領域
本發明涉及集成電路,更具體的說是涉及一種發送部分射頻接收前端電路。
背景技術
無線遙控作為工業無線電控制、安保報警系統、家用電器無線控制、玩具無線控制、車輛的無線遙控開關、車輛無線防盜遙控等,由于其操作方便,其應用范圍十分廣泛。現有的家用電器和私家車遙控發射器大多是便攜的手持式遙控器,其無線信號在發送時,其頻率的穩定度和對溫度的依賴性對信號發射和接收的整體性能至關重要。
發明內容
本發明提供一種發送部分射頻接收前端電路,采用芯片MAX1472,其基于晶振的結構調整深度更廣,頻率穩定更快,且對溫度的依賴性較低,使得該電路的性能穩定。
為解決上述的技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種發送部分射頻接收前端電路,它包括芯片MAX1472,所述的芯片MAX1472的引腳XTAL2和引腳XTAL2之間連接有晶振,所述的芯片MAX1472的引腳GND和引腳PAGND均接地,所述的芯片MAX1472的引腳VDD連接在VDD上,且引腳VDD上連接有電容C4,所述的電容C4的另一端接地,所述的芯片MAX1472的引腳PAOUT上連接有外圍電路。
更進一步的技術方案是:
所述的外圍電路包括電容C1、電容C2、電容C3、電容C5、電容C6、電容C7、電感L1、電感L2和天線,所述的電容C5、電感L2、電容C7依次相連,且電容C7的另一端連接在芯片MAX1472的引腳PAOUT上,電容C5的另一端接地,所述的電容C5與電感L2相連的一端連接有天線,所述的電感L2與電容C7連接的一端上連接有電容C6,所述的電容C6的另一端接地,所述的電感L1的一端連接在芯片MAX1472的引腳PAOUT上,另一端同時與電容C1、電容C2、電容C3相連且同時連接在VDD上,所述的電容C1、電容C2和電容C3的另一端接地。
所述的VDD為3.0V。
所述的電容C1和電容C4均為100nF。
所述的電容C2為220pF。
與現有技術相比,本發明的有益效果是:本發明采用芯片MAX1472,芯片MAX1472是一款以晶振為基準的鎖相環VHF/UHF發送器,其頻率穩定更快,并且對溫度的依賴性較低,進一步的增強該電路穩定性。
附圖說明
下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。
圖1為本發明的電路原理圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明作進一步的說明。本發明的實施方式包括但不限于下列實施例。
[實施例]
如圖1所示的一種發送部分射頻接收前端電路,它包括芯片MAX1472,所述的芯片MAX1472的引腳XTAL2和引腳XTAL2之間連接有晶振,所述的芯片MAX1472的引腳GND和引腳PAGND均接地,所述的芯片MAX1472的引腳VDD連接在VDD上,且引腳VDD上連接有電容C4,所述的電容C4的另一端接地,所述的芯片MAX1472的引腳PAOUT上連接有外圍電路。
所述的外圍電路包括電容C1、電容C2、電容C3、電容C5、電容C6、電容C7、電感L1、電感L2和天線,所述的電容C5、電感L2、電容C7依次相連,且電容C7的另一端連接在芯片MAX1472的引腳PAOUT上,電容C5的另一端接地,所述的電容C5與電感L2相連的一端連接有天線,所述的電感L2與電容C7連接的一端上連接有電容C6,所述的電容C6的另一端接地,所述的電感L1的一端連接在芯片MAX1472的引腳PAOUT上,另一端同時與電容C1、電容C2、電容C3相連且同時連接在VDD上,所述的電容C1、電容C2和電容C3的另一端接地。
所述的VDD為3.0V。
所述的電容C1和電容C4均為100nF。
所述的電容C2為220pF。
本發明采用芯片MAX1472,其是一款以晶振為基準的鎖相環VHF/UHF發送器,用于300MHz至450MHz頻段發送OOK/ASK數據。芯片MAX1472的頻率溫度更快且溫度的依賴性較低,避免了發送器中常見的問題,以進一步的增強該電路的溫度性能。
外圍電路用于防止外部的干擾,進一步的增強整個電路的抗干擾能力。
如上所述即為本發明的實施例。本發明不局限于上述實施方式,任何人應該得知在本發明的啟示下做出的結構變化,凡是與本發明具有相同或相近的技術方案,均落入本發明的保護范圍之內。
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