[發明專利]綠芯片加紅熒光粉長方型高折射率LED封裝結構及方法

無效

• 申請號: 201310257302.2
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN103354256A
• 公開（公告）日: 2013-10-16
• 發明（設計）人: 應園
• 申請（專利權）人: 寧波協源光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/32
• 代理公司: 上海泰能知識產權代理事務所 31233
• 代理人: 宋纓;孫健

技術領域

本發明涉及LED封裝技術領域，特別是涉及一種綠芯片加紅熒光粉長方型高折射率LED封裝結構及方法。

背景技術

現有LED封裝中發光芯片采用的是AllnGaP芯片，由于AllnGaP芯片一般為單電極，封裝時正負極性無法變通，AllnGaP為芯片本身的發光波長，其發光波長不可調，AllnGaP芯片材質較脆，容易損壞。同時采用AllnGaP芯片封裝的LED光亮度較低，成本較高。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種綠芯片加紅熒光粉長方型高折射率LED封裝結構及方法，能夠提高發光亮度且降低成本。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：提供一種綠芯片加紅熒光粉長方型高折射率LED封裝結構，包括支架和雙電極綠光芯片，所述支架包括碗杯和杯壁；所述碗杯呈長方型結構；所述杯壁的內側面為圓弧面，并位于碗杯的邊緣，所述杯壁的杯口呈圓角矩形；所述碗杯的上表面安裝有所述雙電極綠光芯片，所述雙電極綠光芯片通過兩根導線與碗杯上的電極相連；所述雙電極綠光芯片周圍固化有紅色熒光粉膠體層。

所述雙電極綠光芯片為InGaN芯片。

本發明解決其技術問題所采用的技術方案是：還提供一種上述綠芯片加紅熒光粉長方型高折射率LED封裝結構的封裝方法，包括以下步驟：

（1）將雙電極綠光芯片放置在碗杯的上表面，并通過導線將雙電極綠光芯片與碗杯上的電極相連；

（2）將紅色熒光粉和環氧樹脂或硅膠進行攪拌配制紅色熒光粉膠體層，其中，紅色熒光粉的濃度為5%-70%；

（3）將紅色熒光粉膠體層點入支架的碗杯中，使紅色熒光粉膠體層包裹綠光芯片；

（4）固化紅色熒光粉膠體層完成封裝。

所述雙電極綠光芯片為InGaN芯片。

所述步驟（2）中將紅色熒光粉和環氧樹脂或硅膠在室溫下攪拌2-5分鐘，轉速為2000-3000轉/分鐘。

所述綠光芯片的波長為515nm，紅色熒光粉的濃度為5%。

所述綠光芯片的波長為517.5nm，紅色熒光粉的濃度為12.8%。

所述綠光芯片的波長為520nm，紅色熒光粉的濃度為20.7%。

所述綠光芯片的波長為522.5nm，紅色熒光粉的濃度為31.8%。

所述綠光芯片的波長為525nm，紅色熒光粉的濃度為42.95%。

所述綠光芯片的波長為527.5nm，紅色熒光粉的濃度為55.7%。

所述綠光芯片的波長為530nm，紅色熒光粉的濃度為70%。

有益效果

由于采用了上述的技術方案，本發明與現有技術相比，具有以下的優點和積極效果：本發明采用雙電極綠光芯片，在封裝時極性可根據需要進行變通，可操作性更強。本發明的發光顏色可根據紅色熒光粉的濃度進行調節，實現方式靈活多變。本發明中的雙電極綠光芯片可選用InGaN芯片，該芯片材質較硬，可提高產品品質可靠性。

附圖說明

圖1是本發明的結構示意圖；

圖2是本發明中杯口的結構示意圖；

圖3是本發明中綠光芯片的相對光譜圖；

圖4是本發明中紅色熒光粉的相對光譜圖；

圖5是本發明的封裝結構的相對光譜圖。

具體實施方式

下面結合具體實施例，進一步闡述本發明。應理解，這些實施例僅用于說明本發明而不用于限制本發明的范圍。此外應理解，在閱讀了本發明講授的內容之后，本領域技術人員可以對本發明作各種改動或修改，這些等價形式同樣落于本申請所附權利要求書所限定的范圍。

本發明的實施方式涉及一種綠芯片加紅熒光粉長方型高折射率LED封裝結構，如圖1所示，包括支架1和雙電極綠光芯片2，所述支架1包括碗杯11和杯壁12；所述碗杯11呈長方型結構；所述杯壁12的內側面為圓弧面，并位于碗杯11的邊緣，所述杯壁12的杯口呈圓角矩形（見圖2），其中，圓角矩形是將標準矩形的四個角替換為對稱圓弧形角的矩形；所述碗杯11的上表面安裝有所述雙電極綠光芯片2，所述雙電極綠光芯片2通過兩根導線3與碗杯11上的電極相連；所述雙電極綠光芯片2周圍固化有紅色熒光粉膠體層4。其中，紅色熒光粉膠體層4由紅色熒光粉和環氧樹脂或硅膠攪拌而成。由于杯壁的內側面為圓弧面，杯壁的杯口呈圓角矩形，從而可增加光折射率。