[發(fā)明專(zhuān)利]一種提高SiO2薄膜磁控濺射沉積速率方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310256923.9
• 申請(qǐng)日: 2013-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103290381B
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李晨光
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南昌歐菲光科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C14/35
• 分類(lèi)號(hào): C23C14/35;C23C14/10
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種提高SiO₂薄膜磁控濺射沉積速率方法，其特征在于：采用等離子體發(fā)射探測(cè)系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)中頻反應(yīng)磁控濺射等離子體發(fā)射光譜，并根據(jù)檢測(cè)系統(tǒng)設(shè)定值將反應(yīng)磁控濺射穩(wěn)定在過(guò)渡態(tài)任意工作點(diǎn)；

氣體氛圍為：工藝氣體氬氣及反應(yīng)氣體氧氣；工藝氣體置于孿生靶下方，反應(yīng)氣體置于孿生靶上方；

該方法需要使用一種在線(xiàn)監(jiān)測(cè)SiO₂薄膜磁控濺射沉積速率裝置：

陰極靶位采用孿生靶，電源采用中頻電源；

孿生靶正上方為基材，距離100mm；

等離子體發(fā)射探測(cè)裝置放置于真空腔室側(cè)壁，真空腔室內(nèi)放置光纖探頭，等離子體發(fā)射光譜經(jīng)由光纖傳送至腔室外等離子體發(fā)射探測(cè)裝置并由數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)處理；

其中，等離子體中的特征光譜強(qiáng)度表征濺射靶面的工作模式，以金屬模式濺射輝光強(qiáng)度為準(zhǔn)，監(jiān)測(cè)特征光譜的強(qiáng)度變化反饋濺射靶表面中毒情況，響應(yīng)速度靈敏的反應(yīng)氣體流量控制器直接控制反應(yīng)氣體流量大小，通過(guò)調(diào)節(jié)等離子體發(fā)射監(jiān)測(cè)系統(tǒng)設(shè)定值調(diào)節(jié)氧流量，將反應(yīng)磁控濺射穩(wěn)定在過(guò)渡態(tài)任意工作點(diǎn)；

Si靶材呈V形夾角布置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高SiO₂薄膜磁控濺射沉積速率方法，其特征在于：等離子體發(fā)射探測(cè)裝置可設(shè)置固定值，間接控制反應(yīng)氣體流量并保持反應(yīng)濺射穩(wěn)定在過(guò)渡態(tài)任意工作點(diǎn)。