[發(fā)明專利]基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂及應(yīng)用有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310256125.6 | 申請(qǐng)日: | 2013-06-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103336149A | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陸偉華;謝波;邵瑋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 蘇州新銳博納米科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01Q60/38 | 分類號(hào): | G01Q60/38 |
| 代理公司: | 南京瑞弘專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陳建和 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 納米 粒子 點(diǎn)陣 量子 輸運(yùn) 原子 顯微 懸臂 應(yīng)用 | ||
1.一種基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂,其特征在于,包括一個(gè)AFM探針針尖(1)并附著于一個(gè)懸臂梁(4)上;至少一組附著于懸臂梁(4)表面的納米粒子點(diǎn)陣(3);至少一對(duì)位于懸臂梁表面用于測(cè)量所述納米粒子點(diǎn)陣(3)電阻值的微電極(2);納米粒子電子點(diǎn)陣以及電極印刷在微懸臂上,當(dāng)微懸臂因與樣品作用發(fā)生彎曲時(shí),印刷在微懸臂背面的納米粒子點(diǎn)陣間距也發(fā)生了變化,引起納米粒子點(diǎn)陣電導(dǎo)的變化;檢測(cè)這一電導(dǎo)變化,就能檢測(cè)懸臂的彎曲,相應(yīng)的檢測(cè)針尖-樣品的局部距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂,其特征在于,懸臂梁(4)的橫截面為矩形或圓、橢圓均可;懸臂梁(4)的制作材料為氮化硅(Si3N4),其彈性模量約為E=35000±10000MPa,假定懸臂梁(4)的結(jié)構(gòu)尺寸為:L=200±50μm,h=7±4μm,b=40±10μm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂,其特征在于,至少一對(duì)微電極(2)與納米粒子點(diǎn)陣(3)附著于AFM懸臂梁(4),納米粒子點(diǎn)陣(3)位于微電極(2)之間,其量子隧穿電導(dǎo)能通過外部檢測(cè)儀器被探測(cè)到。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂,其特征在于微電極(2)使用金,電極和納米粒子點(diǎn)陣的結(jié)構(gòu)、尺寸以及在懸臂梁上所處的位置在針尖左右的臂長位置。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂,其特征在于通過控制納米粒子覆蓋率的方式有效調(diào)控納米粒子點(diǎn)陣(3)的電子輸運(yùn)性質(zhì);納米粒子覆蓋率范圍在10~80%,納米粒子的直徑范圍是1~500nm。
6.基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂的應(yīng)用,包括一個(gè)AFM探針針尖(1)并附著于一個(gè)懸臂梁(4)上;至少一組附著于懸臂梁(4)表面的納米粒子點(diǎn)陣(3);至少一對(duì)位于懸臂梁表面用于測(cè)量所述納米粒子點(diǎn)陣(3)電阻值的微電極(2);納米粒子電子點(diǎn)陣以及電極印刷在微懸臂上,當(dāng)微懸臂因與樣品作用發(fā)生彎曲時(shí),印刷在微懸臂背面的納米粒子點(diǎn)陣間距也發(fā)生了變化,引起納米粒子點(diǎn)陣電導(dǎo)的變化;檢測(cè)這一電導(dǎo)變化,就檢測(cè)懸臂的彎曲,相應(yīng)的檢測(cè)針尖-樣品的局部距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂的應(yīng)用,其特征是其中所述納米粒子點(diǎn)陣(3)中隧穿輸運(yùn)是主要的導(dǎo)電形式。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂的應(yīng)用,其特征是其中所述納米粒子點(diǎn)陣(3)的納米粒子數(shù)密度應(yīng)大于滲流閾值,使其電阻(或電導(dǎo))能被外部電學(xué)儀表測(cè)量。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂的應(yīng)用,其特征是其中所述微電極(2)具有足夠強(qiáng)的導(dǎo)電能力,且能穩(wěn)定粘附在懸臂梁(4)表面,在懸臂梁(4)高頻振動(dòng)是具有良好的機(jī)械穩(wěn)定性,能作為納米粒子點(diǎn)陣(3)的有效電學(xué)信號(hào)轉(zhuǎn)換介質(zhì)。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基于納米粒子點(diǎn)陣量子輸運(yùn)的原子力顯微微懸臂的應(yīng)用,其特征在于,其中所述懸臂梁(4)用Si3N4材料制備,其尺寸、形狀和結(jié)構(gòu)將影響到AFM探針的測(cè)量范圍,同時(shí)還會(huì)影響到納米粒子點(diǎn)陣(3)的測(cè)量靈敏度。即AFM探針的量程和靈敏度可以通過改變懸臂梁(4)的結(jié)構(gòu)尺寸而進(jìn)行調(diào)整。
得到納米粒子點(diǎn)陣(3)的阻值R和原子力探針針尖與樣品間的距離r之間的關(guān)系,即R∝4λR0δ(-12d12r-13+6d6r-7);即
得到樣品表面原子力探針針尖與樣品間的距離r后,通過二維掃描其整個(gè)樣品表面,就知道樣品表面的結(jié)構(gòu)信息;
d為原子直徑10-10量級(jí),單位為米,r為原子力探針針尖與樣品間的距離,δ為勢(shì)壘深度,懸臂梁垂直于軸向的截面寬度和高度分別為b和h,針尖到懸臂梁末端的水平距離為L,懸臂梁的彈性模量為E,納米粒子點(diǎn)陣的初始電阻為R0,實(shí)時(shí)電阻值為R,靈敏度系數(shù)為K。
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G01Q 掃描探針技術(shù)或設(shè)備;掃描探針技術(shù)的應(yīng)用,例如,掃描探針顯微術(shù)[SPM]
G01Q60-00 特殊類型的SPM [掃描探針顯微術(shù)]或其設(shè)備;其基本組成
G01Q60-02 .多個(gè)類型SPM,即包括兩種或更多種SPM技術(shù)
G01Q60-10 .STM [掃描隧道顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如STM探針
G01Q60-18 .SNOM [掃描近場(chǎng)光學(xué)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如,SNOM探針
G01Q60-24 .AFM [原子力顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如AFM探針
G01Q60-44 .SICM [掃描離子電導(dǎo)顯微術(shù)]或其設(shè)備,例如SICM探針





