[發(fā)明專利]非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310254804.X
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN104241123A
• 公開（公告）日: 2014-12-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃璇;鄧小社;王根毅;王萬禮
• 申請（專利權(quán)）人: 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 鄧云鵬

1.一種非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，包括如下步驟：

提供N型襯底；

在所述N型襯底上采用離子注入的方式形成P+發(fā)射區(qū)；

在所述N型襯底上具有P+發(fā)射區(qū)的一面外延制備N型漂移區(qū)；

在所述N型漂移區(qū)上制備所述絕緣柵雙極型晶體管的正面結(jié)構(gòu)；

將所述N型襯底減薄至背面露出所述P+發(fā)射區(qū)；

在所述N型襯底背面形成金屬電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述N型襯底的厚度為100～650微米，所述N型漂移區(qū)的厚度為10～650微米，且所述N型襯底和N型漂移區(qū)的厚度之和與正常流通硅片的厚度相當。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述正常流通硅片是厚度為625微米或675微米的6英寸硅片，或者是厚度為725微米的8英寸硅片。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述在N型襯底上采用離子注入的方式形成P+發(fā)射區(qū)的步驟包括：

在所述N型襯底上光刻形成注入圖形；

在所述注入圖形上進行離子注入形成P+發(fā)射區(qū)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，注入離子為硼，注入劑量為1E13～1E20cm^-2，注入能量為30～200千電子伏特。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述N型襯底的電阻率為0.001～10歐姆·厘米，所述N型漂移區(qū)的電阻率為5～500歐姆·厘米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述在N型襯底背面形成金屬電極的步驟中，可以采用濺射或蒸發(fā)方式形成所述金屬電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非穿通型反向?qū)ń^緣柵雙極型晶體管的制造方法，其特征在于，所述在N型漂移區(qū)上制備絕緣柵雙極型晶體管的正面結(jié)構(gòu)的步驟包括：

在所述N型漂移區(qū)上間隔形成P型體區(qū)；

在所述P型體區(qū)上形成N型發(fā)射區(qū)；

在所述P型體區(qū)之間的N型溝道上形成柵極層；

在所述N型發(fā)射區(qū)上引出發(fā)射極電極，在所述柵極層上引出柵極電極。