[發明專利]硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件及其制作方法

有效

• 申請號: 201310254596.3
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN104253129B
• 公開（公告）日: 2019-11-05
• 發明（設計）人: 楊進盛;陳建宏
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 賈靜環

1.一種硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，包含：

基底；

第一氧化層設于該基底上；

富硅陷補層設于該第一氧化層上，其中該富硅陷補層包含氮化硅層以及設于該氮化硅層上的富硅層，其中該富硅層為富硅氮化硅層或富硅氮氧化硅層；

含氮層設于該富硅陷補層上；

富硅氧化層設于該含氮層上；以及

多晶硅層設于該富硅氧化層上。

2.如權利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，其中該富硅陷補層包含氮化硅層以及富硅氮化硅層，該氮化硅層的厚度小于10埃且該富硅氮化硅層的厚度小于15埃。

3.如權利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，其中該富硅陷補層包含氮化硅層以及富硅氮氧化硅層，其中該氮化硅層的厚度小于10埃且該富硅氮氧化硅層的厚度小于15埃。

4.如權利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，其中該含氮層包含氮化硅層，且該氮化硅層的厚度為10-30埃。

5.如權利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，其中該含氮層包含氮氧化硅層，且該氮氧化硅層的厚度為10-30埃。

6.如權利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，其中該富硅氧化層的厚度小于15埃。

7.如權利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件，另包含第二氧化層設于該富硅氧化層與該多晶硅層之間。

8.一種制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，包含：

提供基底；

形成第一氧化層于該基底上；

形成氮化硅層于該第一氧化層上；

進行第一硅甲烷浸泡制程；

通入氨氣與硅甲烷以形成富硅陷補層于該第一氧化層上，其中該富硅陷補層包含該氮化硅層以及富硅氮化硅層或富硅氮氧化硅層；

形成含氮層于該富硅陷補層上；

形成富硅氧化層于該含氮層上；以及

形成多晶硅層于該富硅氧化層上。

9.如權利要求8所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，另包含：

對該第一氧化層進行氨氣浸泡工藝；以及

通入氨氣與硅甲烷以形成該氮化硅層。

10.如權利要求9所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，另包含進行微波等離子體輔助化學氣相沉積工藝以形成該氮化硅層。

11.如權利要求9所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，另包含：

于等離子體關閉狀態下對該氮化硅層進行該第一硅甲烷浸泡工藝；以及

于等離子體開啟狀態下通入氨氣與硅甲烷以形成該富硅氮化硅層。

12.如權利要求9所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，另包含：

于等離子體關閉狀態下對該氮化硅層進行該第一硅甲烷浸泡工藝；以及

于等離子體開啟狀態下通入氨氣、氧氣與硅甲烷以形成該富硅氮氧化硅層。

13.如權利要求9所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，其中該含氮層包含氮化硅層。

14.如權利要求9所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，其中該含氮層包含氮氧化硅層。

15.如權利要求14所述的制作硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅組件的方法，另包含：

于等離子體關閉狀態下對該氮化硅層進行第二硅甲烷浸泡工藝；以及

于等離子體開啟狀態下通入氨氣、氧氣與硅甲烷以形成該氮氧化硅層。