[發明專利]激光脈沖沉積技術制備氮化鎵納米線的方法無效
| 申請號： | 201310254474.4 | 申請日： | 2013-06-25 |
| 公開（公告）號： | CN103484823A | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | 王如志;王宇清;嚴輝;王波;張銘;宋雪梅;朱滿康;侯育冬;劉晶冰;汪浩 | 申請（專利權）人： | 北京工業大學 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;C23C14/06 |
| 代理公司： | 北京思海天達知識產權代理有限公司 11203 | 代理人： | 劉萍 |
| 地址： | 100124 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 激光 脈沖 沉積 技術 制備 氮化 納米 方法 | ||
【權利要求書】：
1.激光脈沖沉積技術制備氮化鎵納米線的方法，其特征在于,包括以下步驟：
（1）GaN粉體通過摻膠、研磨，通過80目網篩后壓片，在560℃煅燒2小時，燒制成粉靶；
（2）將清洗烘干后的硅片在離子濺射儀沉積5-60s,得到表面有厚度約為5-40nm金膜的襯底；
（3）采用以上方法制備的GaN粉靶和襯底，利用激光脈沖沉積法：反應壓強2x10-3Pa，襯底溫度850℃，激光能量380mJ/Pulse，激光頻率6Hz，沉積時間為10min-60min。
2.按照權利要求1的方法，其特征在于，步驟（3）中沉積時間為30min。
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