[發明專利]虛擬化電特性優化測試方法有效
| 申請號： | 201310254372.2 | 申請日： | 2013-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN104239591B | 公開（公告）日： | 2017-10-24 |
| 發明（設計）人： | 宋旻皓;陳斌斌 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G06F17/50 | 分類號： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 虛擬 特性 優化 測試 方法 | ||
【權利要求書】：
1.虛擬化電特性優化測試方法，其特征在于，測試步驟包括：
1)采集調試樣品芯片的電優化參數模擬值和工藝特性參數，建立與所采集的數據最匹配的線性擬合函數模型；
2)根據置信區間確定量產測試中建模需要采集的樣品數；所述樣品數滿足公式：
r＝CONFIDENCE((1-α)/2，(σ+Δ)，S)<±A/n
其中，±A為模擬值設計范圍，n為數字參數個數，S為需采集樣品數，r為置信范圍，α為要求的置信區間，σ為基于調試樣品芯片的線性擬合函數的斜率計算得到的樣本標準偏差，Δ為根據所述工藝特性參數估算得到的工藝浮動；
3)在量產測試時，采集步驟2)所確定的樣品數的芯片的數據，通過數學優化方法，建立產品虛擬化電特性優化測試最佳函數；
4)參照步驟3)建立的最佳函數，完成所有芯片的虛擬化電特性優化量產測試。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)，所述數學優化方法包括最小二乘法。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4)的量產測試步驟進一步包括：
41)向芯片設置數字參數中間值；
42)測量芯片輸出模擬值；
43)測試程序將設計標準模擬值寫入最佳函數，計算出最佳數字參數。
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