[發明專利]鐵電隧道結器件有效
| 申請號： | 201310254038.7 | 申請日： | 2013-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN103325942A | 公開（公告）日： | 2013-09-25 |
| 發明（設計）人： | 楊鋒;胡廣達;武衛兵;楊長紅;吳海濤 | 申請（專利權）人： | 濟南大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 濟南泉城專利商標事務所 37218 | 代理人： | 丁修亭 |
| 地址： | 250022 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隧道 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種鐵電隧道結器件，其特征在于，包括依次堆疊的一層N型半導體薄膜、一層鐵電薄膜和一層P型半導體薄膜；其中N型半導體薄膜上連接有第一電極，而在P型半導體薄膜上連接有第二電極，并且第一電極和第二電極為同樣的半導體材料基于不同的摻雜而形成，其中第一電極為P型半導體電極，第二電極為N型半導體電極。
2.根據權利要求1所述的鐵電隧道結器件，其特征在于，所述鐵電薄膜的厚度為1nm~3nm。
3.根據權利要求1或2所述的鐵電隧道結器件，其特征在于，所述第二電極為一層體，疊裝在所述P型半導體薄膜上；而所述第一電極為薄膜貼片，貼裝在所述N型半導體上。
4.根據權利要求1或2所述的鐵電隧道結器件，其特征在于，N型半導體薄膜、鐵電薄膜和P型半導體薄膜有原子級得分界面，界面處的兩種材料的原子間無相互擴散。
5.根據權利要求1或2所述的鐵電隧道結器件，其特征在于，鐵電薄膜與相鄰的P型半導體薄膜及N型半導體薄膜的晶格常數相近，晶格常數差值比在±1%范圍以內。
6.根據權利要求1或2所述的鐵電隧道結器件，其特征在于，鐵電薄膜與相鄰的P型半導體薄膜及N型半導體薄膜的接觸面的外延對應為沉積薄膜沿用襯底材料的晶格常數。
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