[發(fā)明專利]改善硅片背面金屬污染的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310253594.2
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN103343330A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 桑寧波;賀忻
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44
• 代理公司: 上海申新律師事務(wù)所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種改善硅片背面金屬污染的方法，應(yīng)用于等離子體增強化學(xué)氣相成膜的腔體清洗工藝中，其特征在于，包括以下步驟：

提供一需要進(jìn)行清洗工藝的腔體，且該腔體的內(nèi)壁上覆蓋有第一環(huán)境膜；

去除所述第一環(huán)境膜；

于所述腔體的內(nèi)壁上制備摻氮的環(huán)境膜；

制備非摻氮的環(huán)境膜覆蓋所述環(huán)境膜的表面；

在所述腔體中繼續(xù)進(jìn)行等離子體增強化學(xué)氣相成膜工藝。

2.如權(quán)利要求1所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，依次采用遠(yuǎn)程等離子體清洗工藝和原位等離子清洗工藝去除所述第一環(huán)境膜。

3.如權(quán)利要求1所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，采用含有C₂H₂、N₂和He的混合氣體制備所述摻氮的環(huán)境膜。

4.如權(quán)利要求3所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，采用氣體流量為5000-10000sccm的N₂，500-800sccm的C₂H₂，在射頻的高頻為13.56MHz，功率為800-1200w的工藝條件下，制備所述摻氮的環(huán)境膜。

5.如權(quán)利要求3所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，進(jìn)行所述摻氮的環(huán)境膜的沉積工藝時間為5-12s。

6.如權(quán)利要求1所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，采用含有C₂H₂、Ar和He的混合氣體制備所述非摻氮的環(huán)境膜。

7.如權(quán)利要求6所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，進(jìn)行所述摻氮的環(huán)境膜的沉積工藝時間大于5s且小于20s。

8.如權(quán)利要求1所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，還包括：

相鄰的工藝步驟之間設(shè)置有氣體流量穩(wěn)定工藝步驟和抽氣工藝步驟。

9.如權(quán)利要求1所述的改善硅片背面金屬污染的方法，其特征在于，摻氮的環(huán)境膜和非摻氮的環(huán)境膜構(gòu)成第二環(huán)境膜，且所述第一環(huán)境膜和所述第二環(huán)境膜均為非晶碳薄膜。