[發(fā)明專利]半導(dǎo)體開關(guān)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310253316.7 | 申請日： | 2013-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN104242881A | 公開（公告）日： | 2014-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王柏之 | 申請（專利權(quán)）人： | 瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K17/08 | 分類號： | H03K17/08;H03K17/687 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人： | 張然;李昕巍 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 開關(guān) | ||
1.一種半導(dǎo)體開關(guān)，應(yīng)用于一電子元件，包含一開關(guān)單元，該開關(guān)單元包含：
一晶體管，具有一漏極、一柵極以及一源極；
一漏極偏壓電阻，耦接該漏極；
一漏極偏壓選擇電路，用來于該晶體管導(dǎo)通時耦接該漏極偏壓電阻與一第一漏極偏壓，并用來于該晶體管不導(dǎo)通時耦接該漏極偏壓電阻與一第二漏極偏壓；
一柵極偏壓電阻，耦接該柵極；
一柵極偏壓選擇電路，用來于該晶體管導(dǎo)通時耦接該柵極偏壓電阻與一第一柵極偏壓，并用來于該晶體管不導(dǎo)通時耦接該柵極偏壓電阻與一第二柵極偏壓；
一源極偏壓電阻，耦接該源極；以及
一源極偏壓選擇電路，用來于該晶體管導(dǎo)通時耦接該源極偏壓電阻與一第一源極偏壓，并用來于該晶體管不導(dǎo)通時耦接該源極偏壓電阻與一第二源極偏壓，
其中該第一與第二漏極偏壓不同，該第一與第二柵極偏壓不同，該第一與第二源極偏壓不同。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該第一漏極偏壓等于該第一源極偏壓，該第二漏極偏壓等于該第二源極偏壓。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該晶體管具有一擊穿電壓以及一導(dǎo)通電壓，該第二漏極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差大于該擊穿電壓減去三倍該導(dǎo)通電壓的值的四分之一，該第二源極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差大于該擊穿電壓減去三倍該導(dǎo)通電壓的值的四分之一。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該晶體管具有一擊穿電壓以及一導(dǎo)通電壓，該第二漏極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差大于該擊穿電壓減去三倍該導(dǎo)通電壓的值的四分之一，該第二源極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差大于該擊穿電壓減去三倍該導(dǎo)通電壓的值的四分之一。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該第二漏極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差小于三倍該擊穿電壓減去該導(dǎo)通電壓的值的四分之一，該第二源極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差小于三倍該擊穿電壓減去該導(dǎo)通電壓的值的四分之一。
6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該晶體管具有一擊穿電壓以及一導(dǎo)通電壓，該第二漏極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差小于三倍該擊穿電壓減去該導(dǎo)通電壓的值的四分之一，該第二源極偏壓與該第二柵極偏壓的電壓差小于三倍該擊穿電壓減去該導(dǎo)通電壓的值的四分之一。
7.如權(quán)利要求1項所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該電子元件對應(yīng)一直流工作電壓，且該第二漏極偏壓與該第二源極偏壓小于該直流工作電壓。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該開關(guān)單元具有一或多個寄生電容，且該漏極偏壓電阻的阻抗、該柵極偏壓電阻的阻抗以及該源極偏壓電阻的阻抗均大于該一或多個寄生電容的任一個的阻抗。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體開關(guān)，其中該漏極偏壓電阻的阻抗、該柵極偏壓電阻的阻抗以及該源極偏壓電阻的阻抗均為該一或多個寄生電容的任一個的阻抗的十倍或十倍以上。
10.一種半導(dǎo)體開關(guān)，應(yīng)用于一電子元件，包含多個開關(guān)單元，每該開關(guān)單元包含：
一晶體管，具有一漏極、一柵極以及一源極；
一漏極偏壓電阻，耦接該漏極；
一漏極偏壓選擇電路，用來于該晶體管導(dǎo)通時耦接該漏極偏壓電阻與一第一漏極偏壓，并用來于該晶體管不導(dǎo)通時耦接該漏極偏壓電阻與一第二漏極偏壓；
一柵極偏壓電阻，耦接該柵極；
一柵極偏壓選擇電路，用來于該晶體管導(dǎo)通時耦接該柵極偏壓電阻與一第一柵極偏壓，并用來于該晶體管不導(dǎo)通時耦接該柵極偏壓電阻與一第二柵極偏壓；
一源極偏壓電阻，耦接該源極；以及
一源極偏壓選擇電路，用來于該晶體管導(dǎo)通時耦接該源極偏壓電阻與一第一源極偏壓，并用來于該晶體管不導(dǎo)通時耦接該源極偏壓電阻與一第二源極偏壓，
其中該第一與第二漏極偏壓不同，該第一與第二柵極偏壓不同，該第一與第二源極偏壓不同，且該多個開關(guān)單元包含一第一開關(guān)單元與一第二開關(guān)單元，該第一開關(guān)單元的該源極與該第二開關(guān)單元的該漏極串聯(lián)在一起，且該第一開關(guān)單元的該源極偏壓電阻為該第二開關(guān)單元的該漏極偏壓電阻。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司，未經(jīng)瑞昱半導(dǎo)體股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310253316.7/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
