[發明專利]一種脈沖反應磁控濺射制備氧化釩薄膜的方法

有效

• 申請號: 201310253288.9
• 申請日: 2013-06-25
• 公開（公告）號: CN103320751A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發明（設計）人: 吳志明;蔣亞東;董翔;王濤;顧德恩
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C23C14/08
• 分類號: C23C14/08;C23C14/35
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 李明光

1.一種脈沖反應磁控濺射制備氧化釩薄膜的方法，其特征在于包括以下過程：

步驟1.襯底基片的表面清洗：基片豎立放置于專用的基片清洗架上用去離子水沖洗，再用丙酮進行超聲波清洗，然后經去離子水沖洗，再用無水乙醇超聲波清洗，最后再經去離子水沖洗，用高純干燥氮氣吹干備用；

步驟2.制備氧化釩薄膜：將經步驟1清洗備用的襯底基片置于濺射腔室內的樣品旋轉臺上，金屬釩靶與襯底基片平行相對放置，濺射腔室內預抽真空度＜1×10^-4Pa；以流量率為60～200sccm的氬氣與流量率為2.0～7.0sccm的氧氣充分混合后通入濺射腔室內至濺射工作氣壓0.5～1.5Pa，混合氣體中氬氣與氧氣的流量比為100:2.5～3.5；在樣品旋轉臺旋轉工作、脈沖直流電源脈沖頻率為100～350KHz、占空比為100%～55%、濺射功率為150～250W的條件下，濺射15～30分鐘濺射成膜。

2.按權利要求1所述的一種脈沖反應磁控濺射制備氧化釩薄膜的方法，其特征在于所述襯底基片為普通玻璃片或覆蓋氧化硅層的硅片。

3.按權利要求1所述的一種脈沖反應磁控濺射制備氧化釩薄膜的方法，其特征在于步驟2所述金屬釩靶與襯底基片之間的距離為60～150mm。

4.按權利要求1所述的一種脈沖反應磁控濺射制備氧化釩薄膜的方法，其特征在于步驟2所述樣品旋轉臺轉速為0.5～20rpm。